Theoretical calculation of reorientation energy in metal semiconductor interface
العناوين الأخرى
الحسابات النظرية لطاقة اعادة الترتيب عند سطح شبه موصل معدن
المؤلفون المشاركون
al-Ukayli, Hadi Jabbar Majbal
Mujbi, Husayn Khudayr
المصدر
Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science
العدد
المجلد 25، العدد 3 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 113-118، 6ص.
الناشر
جامعة بغداد كلية التربية ابن الهيثم
تاريخ النشر
2012-12-31
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص AR
الحسابات النظرية لطاقة إعادة الترتيب للانتقال الإلكتروني غير الكظيم على السطح لنظام ما بين المعدن - شبه الموصل استخرجت نظرية السطوح الكروية المستمرة لتفاعل الانتقال الإلكتروني وصفت للاستعمال في الانتقال الإلكتروني ما بين سطح المعدن و شبه الموصل. وجد في الحسابات أن طاقة إعادة الترتيب تتناسب مع ثابت العزل الكهربائي و البصري لشبه الموصل، خواص المعدن، و المسافة الفاصلة بين شبه الموصل و المعدن. أظهرت الحسابات لطاقة إعادة الترتيب أن شبه الموصل ZnO أكثر ملائمة مع معدن الذهب Au حيث يملك ملائمة جيدة مقارنة مع ZnS و ZnSe.
و أظهرت الحسابات النظرية تطابقا جيدا مع القيم العملية.
الملخص EN
A theoretical calculation of the reorientation energy for non adiabatic electron transfer at interface between metal and semiconductor system was carried out.
The continuum outer sphere theory of electron transfer reaction has been extensively used for electron transfer between metal / semiconductor interface.
It is found that in these calculations the reorientation energy is proportional to the optical and statistical dielectric constant of semiconductor, properties of metal, and the distance between metal and semiconductor.
Results of reorientation energy show that ZnO semiconductor with metal Au possess a good matching as compared with ZnS and ZnSe.
Theoretical calculation showed a good agreement with experimental value.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
al-Ukayli, Hadi Jabbar Majbal& Mujbi, Husayn Khudayr. 2012. Theoretical calculation of reorientation energy in metal semiconductor interface. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science،Vol. 25, no. 3, pp.113-118.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-382758
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
al-Ukayli, Hadi Jabbar Majbal& Mujbi, Husayn Khudayr. Theoretical calculation of reorientation energy in metal semiconductor interface. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science Vol. 25, no. 3 (2012), pp.113-118.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-382758
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
al-Ukayli, Hadi Jabbar Majbal& Mujbi, Husayn Khudayr. Theoretical calculation of reorientation energy in metal semiconductor interface. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science. 2012. Vol. 25, no. 3, pp.113-118.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-382758
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes appendices : p. 116-117
رقم السجل
BIM-382758
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر