Theoretical calculation of reorientation energy in metal semiconductor interface
Other Title(s)
الحسابات النظرية لطاقة اعادة الترتيب عند سطح شبه موصل معدن
Joint Authors
al-Ukayli, Hadi Jabbar Majbal
Mujbi, Husayn Khudayr
Source
Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science
Issue
Vol. 25, Issue 3 (31 Dec. 2012), pp.113-118, 6 p.
Publisher
University of Baghdad College of Education for Pure Science / Ibn al-Haitham
Publication Date
2012-12-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
6
Main Subjects
Abstract AR
الحسابات النظرية لطاقة إعادة الترتيب للانتقال الإلكتروني غير الكظيم على السطح لنظام ما بين المعدن - شبه الموصل استخرجت نظرية السطوح الكروية المستمرة لتفاعل الانتقال الإلكتروني وصفت للاستعمال في الانتقال الإلكتروني ما بين سطح المعدن و شبه الموصل. وجد في الحسابات أن طاقة إعادة الترتيب تتناسب مع ثابت العزل الكهربائي و البصري لشبه الموصل، خواص المعدن، و المسافة الفاصلة بين شبه الموصل و المعدن. أظهرت الحسابات لطاقة إعادة الترتيب أن شبه الموصل ZnO أكثر ملائمة مع معدن الذهب Au حيث يملك ملائمة جيدة مقارنة مع ZnS و ZnSe.
و أظهرت الحسابات النظرية تطابقا جيدا مع القيم العملية.
Abstract EN
A theoretical calculation of the reorientation energy for non adiabatic electron transfer at interface between metal and semiconductor system was carried out.
The continuum outer sphere theory of electron transfer reaction has been extensively used for electron transfer between metal / semiconductor interface.
It is found that in these calculations the reorientation energy is proportional to the optical and statistical dielectric constant of semiconductor, properties of metal, and the distance between metal and semiconductor.
Results of reorientation energy show that ZnO semiconductor with metal Au possess a good matching as compared with ZnS and ZnSe.
Theoretical calculation showed a good agreement with experimental value.
American Psychological Association (APA)
al-Ukayli, Hadi Jabbar Majbal& Mujbi, Husayn Khudayr. 2012. Theoretical calculation of reorientation energy in metal semiconductor interface. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science،Vol. 25, no. 3, pp.113-118.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-382758
Modern Language Association (MLA)
al-Ukayli, Hadi Jabbar Majbal& Mujbi, Husayn Khudayr. Theoretical calculation of reorientation energy in metal semiconductor interface. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science Vol. 25, no. 3 (2012), pp.113-118.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-382758
American Medical Association (AMA)
al-Ukayli, Hadi Jabbar Majbal& Mujbi, Husayn Khudayr. Theoretical calculation of reorientation energy in metal semiconductor interface. Ibn al-Haitham Journal for Pure and Applied Science. 2012. Vol. 25, no. 3, pp.113-118.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-382758
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes appendices : p. 116-117
Record ID
BIM-382758