Hydrogented amorphous silicon and polycrist alline silicon deposited by dc magnetron sputtering at high rate
المؤلفون المشاركون
المصدر
العدد
المجلد 2001، العدد 10 (30 يونيو/حزيران 2001)، ص ص. 225-228، 4ص.
الناشر
تاريخ النشر
2001-06-30
دولة النشر
الجزائر
عدد الصفحات
4
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية والتكنولوجية (متداخلة التخصصات)
الفيزياء
الهندسة الكهربائية
الموضوعات
الملخص EN
-The hydrogenated silicon thin films are deposited by DC magnetron sputtering at high rate, Ihe films an obtained polycristalline or amorphous if the deposition temperature is high (>500 °C) or low (''500 °C respectively.
The deposition rate is estimated between 15 and 20 A/s.
We have investigated the films by eleclrica conductivity, photoconductivity and optical absorption.
The electrical measurements are done on th< temperature range between 77 K and 500 K.
The conductivity shows a linear variation in the Arrheniu.
representation, we ha\’e obtained an activation energy value which decreases from 0.80 to 0.58 eV when tin films deposition temperature increases from 260 to 600 °C.
The high deposition temperature films optica absorption versus the photon energy behcn’ior which tends towards the crystal silicon absorption characteristic The photoconductivity is measured under 100 mW light source over the same temperature range that lh< conductivity measurements.
All the films show a ratio value oPh'<7d (the photoconductivity to the conductivity between 10r and l(f at ambient temperature
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Cherf, R.& Aoucher, M.. 2001. Hydrogented amorphous silicon and polycrist alline silicon deposited by dc magnetron sputtering at high rate. Synthèse،Vol. 2001, no. 10, pp.225-228.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-390263
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Cherf, R.& Aoucher, M.. Hydrogented amorphous silicon and polycrist alline silicon deposited by dc magnetron sputtering at high rate. Synthèse No. 10 (Jun. 2001), pp.225-228.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-390263
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Cherf, R.& Aoucher, M.. Hydrogented amorphous silicon and polycrist alline silicon deposited by dc magnetron sputtering at high rate. Synthèse. 2001. Vol. 2001, no. 10, pp.225-228.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-390263
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 228
رقم السجل
BIM-390263
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر