Performance of SOI polysilicon emitter transistors in a radiation environment
المؤلف
المصدر
The Arabian Journal for Science and Engineering
العدد
المجلد 19، العدد 4B (s) (31 أكتوبر/تشرين الأول 1994)، ص ص. 857-871، 15ص.
الناشر
جامعة الملك فهد للبترول و المعادن
تاريخ النشر
1994-10-31
دولة النشر
السعودية
عدد الصفحات
15
التخصصات الرئيسية
الهندسة الكهربائية
تكنولوجيا المعلومات وعلم الحاسوب
الملخص EN
The effect of gamma radiation up to 60 krad(Si) on ZMR-SOI and bulk-Silicon Polysilicon Emitter Transistors was investigated both experimentally and theoretically.
MOS capacitors and Schottky diodes were used as vehicles for understanding the effect of gamma radiation on Polysilicon Emitter Transistors.
A positive charge accumulation, an increase in the surface recombination velocity, as well as a reduction in surface recombination lifetime in the oxide after gamma radiation have been responsible for degrading the DC characteristics of both ZMR-SOI and bulk-Silicon Polysilicon Emitter Transistors in the same manner.
To use SOI technology for bipolar applications, consideration has to be given to the quality of the field oxide in the base region which is responsible for the degradation of the bipolar transistor.
In SOI bipolar applications, a better surface and field oxide is required to assure the radiation hardened properties of the transistors to tolerate higher total dose effects.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Purbo, Onno W.. 1994. Performance of SOI polysilicon emitter transistors in a radiation environment. The Arabian Journal for Science and Engineering،Vol. 19, no. 4B (s), pp.857-871.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-395104
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Purbo, Onno W.. Performance of SOI polysilicon emitter transistors in a radiation environment. The Arabian Journal for Science and Engineering Vol. 19, no. 4B (Special issue) (Oct. 1994), pp.857-871.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-395104
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Purbo, Onno W.. Performance of SOI polysilicon emitter transistors in a radiation environment. The Arabian Journal for Science and Engineering. 1994. Vol. 19, no. 4B (s), pp.857-871.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-395104
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 870-871
رقم السجل
BIM-395104
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر