Electrical characteristics of channelled substrate alGaAs semiconductor laser

المؤلفون المشاركون

Azzawi, M. I.
Thomas, Ben

المصدر

Mu'tah Journal for Research and Studies : Natural and Applied Sciences Series

العدد

المجلد 10، العدد 4 (30 سبتمبر/أيلول 1995)، ص ص. 141-151، 11ص.

الناشر

جامعة مؤتة عمادة البحث العلمي

تاريخ النشر

1995-09-30

دولة النشر

الأردن

عدد الصفحات

11

التخصصات الرئيسية

الفيزياء

الملخص EN

In this paper we examine the existing models to predict the laser dynamics with the influence; of temperature variations.

Experimen- tal electrical characteristics of laser performance over the tempera- ture interval of 20-70 c arc presented; Threshold current, forward bias voltage, light Output, external differential quantum efficiency, and series resistance were studied as temperature parameters.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Azzawi, M. I.& Thomas, Ben. 1995. Electrical characteristics of channelled substrate alGaAs semiconductor laser. Mu'tah Journal for Research and Studies : Natural and Applied Sciences Series،Vol. 10, no. 4, pp.141-151.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-396851

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Azzawi, M. I.& Thomas, Ben. Electrical characteristics of channelled substrate alGaAs semiconductor laser. Mu'tah Journal for Research and Studies : Natural and Applied Sciences Series Vol. 10, no. 4 (Sep. 1995), pp.141-151.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-396851

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Azzawi, M. I.& Thomas, Ben. Electrical characteristics of channelled substrate alGaAs semiconductor laser. Mu'tah Journal for Research and Studies : Natural and Applied Sciences Series. 1995. Vol. 10, no. 4, pp.141-151.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-396851

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes appendix : p. 147-151

رقم السجل

BIM-396851