Dynamic instabilities in the output of InAs InGaAs quantum dot semiconductor laser as a result of noise

العناوين الأخرى

عدم استقراريات حركية في خرج الليزر نوع النقطة الكمية سببها الضوضاء InAs InGaAs

المؤلفون المشاركون

Mashari, Jasib Abd al-Husayn
Ulaywi, Mushtaq Ubayd

المصدر

Journal of Basrah Researches : Sciences

العدد

المجلد 40، العدد 3A (30 سبتمبر/أيلول 2014)، ص ص. 26-38، 13ص.

الناشر

جامعة البصرة كلية التربية للعلوم الصرفة

تاريخ النشر

2014-09-30

دولة النشر

العراق

عدد الصفحات

13

التخصصات الرئيسية

الفيزياء

الموضوعات

الملخص AR

وجد بأن ليزر شبه الموصل InGaAs/InAs نوع النقطة الكمية يبدي تراوحات فوضوية في مدى الخرج المستمر في شدة الضوء و التي تضمحل إلى الصفر بالاعتماد على كل من التحصيل و كثافة تيار الحقن و عامل الانبعاث التلقائي.

هذا التأثير ظهر أيضا في التصرف الزمني لاحتمالية إشغال الإلكترونات في النقاط الكمية.

الملخص EN

Quantum dot semiconductor InAs/InGaAs laser under the effect of noise are found to exhibit chaotic oscillation in the steady state regime of the light intensity together with decay to zero intensity proportional to the gain of the laser medium, injection current density and spontaneous emission factor.

Such effect appears in the temporal variation of electrons occupation probability in the quantum dots too.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Ulaywi, Mushtaq Ubayd& Mashari, Jasib Abd al-Husayn. 2014. Dynamic instabilities in the output of InAs InGaAs quantum dot semiconductor laser as a result of noise. Journal of Basrah Researches : Sciences،Vol. 40, no. 3A, pp.26-38.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-420015

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Ulaywi, Mushtaq Ubayd& Mashari, Jasib Abd al-Husayn. Dynamic instabilities in the output of InAs InGaAs quantum dot semiconductor laser as a result of noise. Journal of Basrah Researches : Sciences Vol. 40, no. 3A (2014), pp.26-38.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-420015

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Ulaywi, Mushtaq Ubayd& Mashari, Jasib Abd al-Husayn. Dynamic instabilities in the output of InAs InGaAs quantum dot semiconductor laser as a result of noise. Journal of Basrah Researches : Sciences. 2014. Vol. 40, no. 3A, pp.26-38.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-420015

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references : p. 36-38

رقم السجل

BIM-420015