![](/images/graphics-bg.png)
I-V characteristics model for AlGaN GaN HEMTS using tcad-silvaco
المؤلفون المشاركون
Douara, Abd al-Malik
Djellouli, Bu Azzah
Rabihi, Abd al-Aziz
Zayyani, Abd al-Razzaq
Bilkadi, Nabil
المصدر
Journal of New Technology and Materials / Larbi Ben M'hidi Oum el-Bouaghi University.
الناشر
جامعة العربي بن مهيدي بأم البواقي
تاريخ النشر
2014-05-31
دولة النشر
الجزائر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص الإنجليزي
We report some results the drain current characteristics of AlGaN / GaN HEMT.
on are simulated by changing the different device parameters such as Al content x and the barrier thickness for different values of the gate voltage using Tcad-Silvaco numerical simulation software.
Drift–diffusion model has taken for simulating the proposed device.
we use SiC as a substrate for this structure, The channel is made of GaN and source-drain spacing is 1 μm.
نوع البيانات
أوراق مؤتمرات
رقم السجل
BIM-429646
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Douara, Abd al-Malik& Djellouli, Bu Azzah& Rabihi, Abd al-Aziz& Zayyani, Abd al-Razzaq& Bilkadi, Nabil. 2014-05-31. I-V characteristics model for AlGaN GaN HEMTS using tcad-silvaco. International Conference on New Materials and Active Devices (2st : 2014 : Umm al-Bawaqi, Algeria). . Vol. 4, no. 1 (May. 2014), pp.1-5.Oum el-Bouaghi Algeria : Larbi Ben M'hidi Oum el-Bouaghi University.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-429646
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Douara, Abd al-Malik…[et al.]. I-V characteristics model for AlGaN GaN HEMTS using tcad-silvaco. . Oum el-Bouaghi Algeria : Larbi Ben M'hidi Oum el-Bouaghi University. 2014-05-31.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-429646
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Douara, Abd al-Malik& Djellouli, Bu Azzah& Rabihi, Abd al-Aziz& Zayyani, Abd al-Razzaq& Bilkadi, Nabil. I-V characteristics model for AlGaN GaN HEMTS using tcad-silvaco. . International Conference on New Materials and Active Devices (2st : 2014 : Umm al-Bawaqi, Algeria).
https://search.emarefa.net/detail/BIM-429646
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)