Variation des coefficients de diffusion et d’activation du bore dans des films de polysilicium sous l’effet de la segregation et du piegeage

الملخص FRE

Ce travail s’intéresse à la modélisation de la diffusion du bore introduit par implantation ionique à forte dose dans des dépôts de silicium polycristallin obtenus par LPCVD.

Il est en effet primordial de contrôler la redistribution de l’impureté dopante dans ces films minces pour leur utilisation comme grille en technologie CMOS standard.

Durant les recuits thermiques post-implantation, le bore diffuse dans la couche mince en occupant des sites où il peut être électriquement actif.

Cependant, le dépassement de la solubilité solide dû au très fort dopage ainsi que les endommagements créés par l’implantation ionique, entraînent l’apparition de divers phénomènes tels que ségrégation, formation d’amas ou clusters et piégeage du dopant.

En tenant compte de ces phénomènes, nous proposons une approche théorique, basée sur le modèle classique lacunaire de la diffusion, auquel vont être greffés de nouveaux termes : le facteur de piégeage, le taux de clusters et le pourcentage d’activation du dopant.

La simulation de profils SIMS expérimentaux permettra d’étudier la diffusion transitoire accélérée du dopant, ainsi que d’évaluer son taux de piégeage et son pourcentage d’activation.