Studying the Properties of RF-Sputtered Nanocrystalline Tin-Doped Indium Oxide
المؤلفون المشاركون
Soliman, Moataz B.
Fathy, Marwa
Kashyout, Abd El-Hady B.
المصدر
International Journal of Photoenergy
العدد
المجلد 2011، العدد 2011 (31 ديسمبر/كانون الأول 2011)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2011-05-29
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The ceramic target of Indium tinoxide (ITO) (90% In2O3-10%SnO2) has been used to prepare transparent semiconductive thin films on glass substrate by RF magnetron sputtering at room temperature.
The properties of the thin films are affected by controlling the deposition parameters, namely, RF power values and deposition times.
The structure, morphology, optical and electrical properties of the thin films are investigated using X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscope (FESEM), atomic force microscope (AFM), UV-Vis spectrophotometer, and four-point probe measurement.
Nanoparticles of 10–20 nm are measured and confirmed using both FESEM and AFM.
The main preferred orientations of the prepared thin films are (222) and (400) of the cubic ITO structure.
The transparent semiconductive films have high transmittance within the visible range of values 80–90% and resistivity of about 1.62×10−4 Ω⋅cm.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Kashyout, Abd El-Hady B.& Fathy, Marwa& Soliman, Moataz B.. 2011. Studying the Properties of RF-Sputtered Nanocrystalline Tin-Doped Indium Oxide. International Journal of Photoenergy،Vol. 2011, no. 2011, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-448855
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Kashyout, Abd El-Hady B.…[et al.]. Studying the Properties of RF-Sputtered Nanocrystalline Tin-Doped Indium Oxide. International Journal of Photoenergy No. 2011 (2011), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-448855
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Kashyout, Abd El-Hady B.& Fathy, Marwa& Soliman, Moataz B.. Studying the Properties of RF-Sputtered Nanocrystalline Tin-Doped Indium Oxide. International Journal of Photoenergy. 2011. Vol. 2011, no. 2011, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-448855
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-448855
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر