Memory and Spin Injection Devices Involving Half Metals

المؤلفون المشاركون

Damewood, L.
Shaughnessy, M.
Snow, Ryan
Fong, C. Y.

المصدر

Journal of Nanomaterials

العدد

المجلد 2011، العدد 2011 (31 ديسمبر/كانون الأول 2011)، ص ص. 1-6، 6ص.

الناشر

Hindawi Publishing Corporation

تاريخ النشر

2011-03-17

دولة النشر

مصر

عدد الصفحات

6

التخصصات الرئيسية

العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الكيمياء
هندسة مدنية

الملخص EN

We suggest memory and spin injection devices fabricated with half-metallic materials and based on the anomalous Hall effect.

Schematic diagrams of the memory chips, in thin film and bulk crystal form, are presented.

Spin injection devices made in thin film form are also suggested.

These devices do not need any external magnetic field but make use of their own magnetization.

Only a gate voltage is needed.

The carriers are 100% spin polarized.

Memory devices may potentially be smaller, faster, and less volatile than existing ones, and the injection devices may be much smaller and more efficient than existing spin injection devices.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Shaughnessy, M.& Snow, Ryan& Damewood, L.& Fong, C. Y.. 2011. Memory and Spin Injection Devices Involving Half Metals. Journal of Nanomaterials،Vol. 2011, no. 2011, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-448979

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Shaughnessy, M.…[et al.]. Memory and Spin Injection Devices Involving Half Metals. Journal of Nanomaterials No. 2011 (2011), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-448979

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Shaughnessy, M.& Snow, Ryan& Damewood, L.& Fong, C. Y.. Memory and Spin Injection Devices Involving Half Metals. Journal of Nanomaterials. 2011. Vol. 2011, no. 2011, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-448979

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references

رقم السجل

BIM-448979