Comprehension of Postmetallization Annealed MOCVD-TiO2 on (NH4)2S Treated III-V Semiconductors
المؤلفون المشاركون
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-10، 10ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-12-16
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
10
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The electrical characteristics of TiO2 films grown on III-V semiconductors (e.g., p-type InP and GaAs) by metal-organic chemical vapor deposition were studied.
With (NH4)2S treatment, the electrical characteristics of MOS capacitors are improved due to the reduction of native oxides.
The electrical characteristics can be further improved by the postmetallization annealing, which causes hydrogen atomic ion to passivate defects and the grain boundary of polycrystalline TiO2 films.
For postmetallization annealed TiO2 on (NH4)2S treated InP MOS, the leakage current densities can reach 2.7 × 10−7 and 2.3 × 10−7 A/cm2 at ±1 MV/cm, respectively.
The dielectric constant and effective oxide charges are 46 and 1.96 × 1012 C/cm2, respectively.
The interface state density is 7.13×1011 cm−2 eV−1 at the energy of 0.67 eV from the edge of valence band.
For postmetallization annealed TiO2 on (NH4)2S treated GaAs MOS, The leakage current densities can reach 9.7×10−8 and 1.4×10−7 at ±1 MV/cm, respectively.
The dielectric constant and effective oxide charges are 66 and 1.86×1012 C/cm2, respectively.
The interface state density is 5.96×1011 cm−2 eV−1 at the energy of 0.7 eV from the edge of valence band.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Lee, Ming-Kwei& Yen, Chih-Feng. 2012. Comprehension of Postmetallization Annealed MOCVD-TiO2 on (NH4)2S Treated III-V Semiconductors. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-449641
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Lee, Ming-Kwei& Yen, Chih-Feng. Comprehension of Postmetallization Annealed MOCVD-TiO2 on (NH4)2S Treated III-V Semiconductors. Active and Passive Electronic Components No. 2012 (2012), pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-449641
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Lee, Ming-Kwei& Yen, Chih-Feng. Comprehension of Postmetallization Annealed MOCVD-TiO2 on (NH4)2S Treated III-V Semiconductors. Active and Passive Electronic Components. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-449641
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-449641
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر