![](/images/graphics-bg.png)
Fabrication of Axial and Radial Heterostructures for Semiconductor Nanowires by Using Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy
المؤلفون المشاركون
Fukui, T.
Noborisaka, J.
Tomioka, K.
Hiruma, K.
Mohan, P.
Fujisawa, S.
Hayashida, A.
Hara, S.
Hua, B.
Yang, L.
Motohisa, J.
المصدر
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-29، 29ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2011-10-31
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
29
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الكيمياء
الملخص EN
The fabrication of GaAs- and InP-based III-V semiconductor nanowires with axial/radial heterostructures by using selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy is reviewed.
Nanowires, with a diameter of 50–300 nm and with a length of up to 10 μm, have been grown along the 〈111〉B or 〈111〉A crystallographic orientation from lithography-defined SiO2 mask openings on a group III-V semiconductor substrate surface.
An InGaAs quantum well (QW) in GaAs/InGaAs nanowires and a GaAs QW in GaAs/AlGaAs or GaAs/GaAsP nanowires have been fabricated for the axial heterostructures to investigate photoluminescence spectra from QWs with various thicknesses.
Transmission electron microscopy combined with energy dispersive X-ray spectroscopy measurements have been used to analyze the crystal structure and the atomic composition profile for the nanowires.
GaAs/AlGaAs, InP/InAs/InP, and GaAs/GaAsP core-shell structures have been found to be effective for the radial heterostructures to increase photoluminescence intensity and have enabled laser emissions from a single GaAs/GaAsP nanowire waveguide.
The results have indicated that the core-shell structure is indispensable for surface passivation and practical use of nanowire optoelectronics devices.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Hiruma, K.& Tomioka, K.& Mohan, P.& Yang, L.& Noborisaka, J.& Hua, B.…[et al.]. 2011. Fabrication of Axial and Radial Heterostructures for Semiconductor Nanowires by Using Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy. Journal of Nanotechnology،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-29.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-451397
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Hiruma, K.…[et al.]. Fabrication of Axial and Radial Heterostructures for Semiconductor Nanowires by Using Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy. Journal of Nanotechnology No. 2012 (2012), pp.1-29.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-451397
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Hiruma, K.& Tomioka, K.& Mohan, P.& Yang, L.& Noborisaka, J.& Hua, B.…[et al.]. Fabrication of Axial and Radial Heterostructures for Semiconductor Nanowires by Using Selective-Area Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy. Journal of Nanotechnology. 2011. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-29.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-451397
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-451397
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)