![](/images/graphics-bg.png)
A Comparative Study of Dislocations in HVPE GaN Layers by High-Resolution X-Ray Diffraction and Selective Wet Etching
المؤلفون المشاركون
Volkova, Anna
Ivantsov, Vladimir
المصدر
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-08-30
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
It has been shown during the present study that the E-etching at elevated temperatures can be adopted for the dislocation etching in hydride vapor-phase epitaxy (HVPE) GaN layers.
It has been found that the X-ray diffraction (XRD) evaluation of the dislocation density in the thicker than 6 μm epilayers using conventional Williamson-Hall plots and Dunn-Koch equation is in an excellent agreement with the results of the elevated-temperature E-etching.
The dislocation distribution measured for 2-inch GaN-on-sapphire substrate suggests strongly the influence of the inelastic thermal stresses on the formation of the final dislocation pattern in the epilayer.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Ivantsov, Vladimir& Volkova, Anna. 2012. A Comparative Study of Dislocations in HVPE GaN Layers by High-Resolution X-Ray Diffraction and Selective Wet Etching. ISRN Condensed Matter Physics،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-452653
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Ivantsov, Vladimir& Volkova, Anna. A Comparative Study of Dislocations in HVPE GaN Layers by High-Resolution X-Ray Diffraction and Selective Wet Etching. ISRN Condensed Matter Physics No. 2012 (2012), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-452653
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Ivantsov, Vladimir& Volkova, Anna. A Comparative Study of Dislocations in HVPE GaN Layers by High-Resolution X-Ray Diffraction and Selective Wet Etching. ISRN Condensed Matter Physics. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-452653
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-452653
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)