Control of Crystallinity in Nanocrystalline Silicon Prepared by High Working Pressure Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
المؤلفون المشاركون
Choi, Si-Young
Park, Sung-Gyu
Jeong, Yongsoo
Nam, Kee-Seok
Kwon, Jung-Dae
Kim, Dong-Ho
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-08-16
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الملخص EN
The crystalline volume of nanocrystalline silicon (Si) films could be successfully controlled simply by changing the substrate scan speed at the high working pressure of 300 Torr.
The Si crystalline volume fraction was increased from 30% to 57% by increasing the scan speed from 8 to 30 mm/s.
When the Si film was prepared at a low scan speed (8 mm/s), Si crystals of size 5 nm grew homogeneously through the whole film.
The higher scan speed was found to accelerate crystallization, and crystals of size up to 25 nm were deposited in the Si film deposited when the scan speed was 30 mm/s.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Kwon, Jung-Dae& Nam, Kee-Seok& Jeong, Yongsoo& Kim, Dong-Ho& Park, Sung-Gyu& Choi, Si-Young. 2012. Control of Crystallinity in Nanocrystalline Silicon Prepared by High Working Pressure Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-454990
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Kwon, Jung-Dae…[et al.]. Control of Crystallinity in Nanocrystalline Silicon Prepared by High Working Pressure Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. Advances in Materials Science and Engineering No. 2012 (2012), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-454990
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Kwon, Jung-Dae& Nam, Kee-Seok& Jeong, Yongsoo& Kim, Dong-Ho& Park, Sung-Gyu& Choi, Si-Young. Control of Crystallinity in Nanocrystalline Silicon Prepared by High Working Pressure Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition. Advances in Materials Science and Engineering. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-454990
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-454990
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر