9T Full Adder Design in Subthreshold Region

المؤلفون المشاركون

Sharma, Tripti
Singh, Shiwani
Sharma, K. G.
Singh, B. P.

المصدر

VLSI Design

العدد

المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-5، 5ص.

الناشر

Hindawi Publishing Corporation

تاريخ النشر

2012-03-11

دولة النشر

مصر

عدد الصفحات

5

التخصصات الرئيسية

العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات

الملخص EN

This paper presents prelayout simulations of two existing 9T and new proposed 9T full adder circuit in subthreshold region to employ in ultralow-power applications.

The proposed circuit consists of a new logic which is used to implement Sum module.

The proposed design remarkably reduces power-delay product (PDP) and improves temperature sustainability when compared with existing 9T adders.

Therefore, in a nut shell proposed adder cell outperforms the existing adders in subthreshold region and proves to be a viable option for ultralow-power and energy-efficient applications.

All simulations are performed on 45 nm standard model on Tanner EDA tool version 13.0.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Singh, Shiwani& Sharma, Tripti& Sharma, K. G.& Singh, B. P.. 2012. 9T Full Adder Design in Subthreshold Region. VLSI Design،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-457185

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Singh, Shiwani…[et al.]. 9T Full Adder Design in Subthreshold Region. VLSI Design No. 2012 (2012), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-457185

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Singh, Shiwani& Sharma, Tripti& Sharma, K. G.& Singh, B. P.. 9T Full Adder Design in Subthreshold Region. VLSI Design. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-457185

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references

رقم السجل

BIM-457185