![](/images/graphics-bg.png)
Single-Ion Implantation for the Development of Si-Based MOSFET Devices with Quantum Functionalities
المؤلفون المشاركون
Alves, Andrew D.
Thompson, Samuel C.
van Donkelaar, Jessica A.
McCallum, Jeffrey C.
Johnson, Brett C.
Jamieson, David N.
Yang, Changyi
Hopf, Toby
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-10، 10ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2011-11-28
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
10
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الملخص EN
Interest in single-ion implantation is driven in part by research into development of solid-state devices that exhibit quantum behaviour in their electronic or optical characteristics.
Here, we provide an overview of international research work on single ion implantation and single ion detection for development of electronic devices for quantum computing.
The scope of international research into single ion implantation is presented in the context of our own research in the Centre for Quantum Computation and Communication Technology in Australia.
Various single ion detection schemes are presented, and limitations on dopant placement accuracy due to ion straggling are discussed together with pathways for scale-up to multiple quantum devices on the one chip.
Possible future directions for ion implantation in quantum computing and communications are also discussed.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
McCallum, Jeffrey C.& Jamieson, David N.& Yang, Changyi& Alves, Andrew D.& Johnson, Brett C.& Hopf, Toby…[et al.]. 2011. Single-Ion Implantation for the Development of Si-Based MOSFET Devices with Quantum Functionalities. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-459302
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
McCallum, Jeffrey C.…[et al.]. Single-Ion Implantation for the Development of Si-Based MOSFET Devices with Quantum Functionalities. Advances in Materials Science and Engineering No. 2012 (2012), pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-459302
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
McCallum, Jeffrey C.& Jamieson, David N.& Yang, Changyi& Alves, Andrew D.& Johnson, Brett C.& Hopf, Toby…[et al.]. Single-Ion Implantation for the Development of Si-Based MOSFET Devices with Quantum Functionalities. Advances in Materials Science and Engineering. 2011. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-10.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-459302
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-459302
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)