Electron Band Alignment at Interfaces of Semiconductors with Insulating Oxides : An Internal Photoemission Study
المؤلف
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-30، 30ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2014-02-13
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
30
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Evolution of the electron energy band alignment at interfaces between different semiconductors and wide-gap oxide insulators is examined using the internal photoemission spectroscopy, which is based on observations of optically-induced electron (or hole) transitions across the semiconductor/insulator barrier.
Interfaces of various semiconductors ranging from the conventional silicon to the high-mobility Ge-based (Ge, Si1-xGex, Ge1-xSnx) and AIIIBV group (GaAs, InxGa1-xAs, InAs, GaP, InP, GaSb, InSb) materials were studied revealing several general trends in the evolution of band offsets.
It is found that in the oxides of metals with cation radii larger than ≈0.7 Å, the oxide valence band top remains nearly at the same energy (±0.2 eV) irrespective of the cation sort.
Using this result, it becomes possible to predict the interface band alignment between oxides and semiconductors as well as between dissimilar insulating oxides on the basis of the oxide bandgap width which are also affected by crystallization.
By contrast, oxides of light elements, for example, Be, Mg, Al, Si, and Sc exhibit significant shifts of the valence band top.
General trends in band lineup variations caused by a change in the composition of semiconductor photoemission material are also revealed.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Afanas'ev, Valeri V.. 2014. Electron Band Alignment at Interfaces of Semiconductors with Insulating Oxides : An Internal Photoemission Study. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-30.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-461585
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Afanas'ev, Valeri V.. Electron Band Alignment at Interfaces of Semiconductors with Insulating Oxides : An Internal Photoemission Study. Advances in Condensed Matter Physics No. 2014 (2014), pp.1-30.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-461585
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Afanas'ev, Valeri V.. Electron Band Alignment at Interfaces of Semiconductors with Insulating Oxides : An Internal Photoemission Study. Advances in Condensed Matter Physics. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-30.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-461585
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-461585
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر