Systematic Investigation of Gettering Effects on 4th Row Element Impurities in Si by Dopant Atoms
المؤلفون المشاركون
Kamimura, Ken
Sueoka, Koji
Shiba, Seiji
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2009، العدد 2009 (31 ديسمبر/كانون الأول 2009)، ص ص. 1-3، 3ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2010-01-27
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
3
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الملخص EN
The gettering of 4th row element impurities (K, Ca, 3d transition metals, and Zn) in Si crystals by dopant atoms was systematically investigated by first-principles calculation through evaluation of the diffusion barrier and the binding energy.
The dopant atoms considered include p-type dopants (B), n-type dopants (P, As, Sb), or light elements (C, O).
It was found that (1) the diffusion barrier of impurity atoms decreases with an increase in their atomic number up to Ni, (2) B atom becomes an efficient gettering center for metals except for Ni, (3) most of the metals except for Fe and Co cannot be gettered by n-type dopants, and (4) C and O atoms alone do not become efficient gettering centers for the metals used in actual LSI processes.
The vacancy Vc and n-type dopant complexes (PVc, AsVc, SbVc) can be efficient gettering centers for Cu in n/n+ epitaxial wafers.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Sueoka, Koji& Kamimura, Ken& Shiba, Seiji. 2010. Systematic Investigation of Gettering Effects on 4th Row Element Impurities in Si by Dopant Atoms. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2009, no. 2009, pp.1-3.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-462349
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Sueoka, Koji…[et al.]. Systematic Investigation of Gettering Effects on 4th Row Element Impurities in Si by Dopant Atoms. Advances in Materials Science and Engineering No. 2009 (2009), pp.1-3.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-462349
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Sueoka, Koji& Kamimura, Ken& Shiba, Seiji. Systematic Investigation of Gettering Effects on 4th Row Element Impurities in Si by Dopant Atoms. Advances in Materials Science and Engineering. 2010. Vol. 2009, no. 2009, pp.1-3.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-462349
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-462349
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر