Formation and Device Application of Ge Nanowire Heterostructures via Rapid Thermal Annealing
المؤلفون المشاركون
Chen, Lih-Juann
Xiu, Faxian
Tang, Jianshi
Zhou, Yi
Wang, Chiu-Yen
Wang, Kang L.
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2011، العدد 2011 (31 ديسمبر/كانون الأول 2011)، ص ص. 1-16، 16ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2011-10-04
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
16
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الملخص EN
We reviewed the formation of Ge nanowire heterostructure and its field-effect characteristics by a controlled reaction between a single-crystalline Ge nanowire and Ni contact pads using a facile rapid thermal annealing process.
Scanning electron microscopy and transmission electron microscopy demonstrated a wide temperature range of 400~500°C to convert the Ge nanowire to a single-crystalline Ni2Ge/Ge/Ni2Ge nanowire heterostructure with atomically sharp interfaces.
More importantly, we studied the effect of oxide confinement during the formation of nickel germanides in a Ge nanowire.
In contrast to the formation of Ni2Ge/Ge/Ni2Ge nanowire heterostructures, a segment of high-quality epitaxial NiGe was formed between Ni2Ge with the confinement of Al2O3 during annealing.
A twisted epitaxial growth mode was observed in both two Ge nanowire heterostructures to accommodate the large lattice mismatch in the NixGe/Ge interface.
Moreover, we have demonstrated field-effect transistors using the nickel germanide regions as source/drain contacts to the Ge nanowire channel.
Our Ge nanowire transistors have shown a high-performance p-type behavior with a high on/off ratio of 105 and a field-effect hole mobility of 210 cm2/Vs, which showed a significant improvement compared with that from unreacted Ge nanowire transistors.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Tang, Jianshi& Wang, Chiu-Yen& Xiu, Faxian& Zhou, Yi& Chen, Lih-Juann& Wang, Kang L.. 2011. Formation and Device Application of Ge Nanowire Heterostructures via Rapid Thermal Annealing. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2011, no. 2011, pp.1-16.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-462917
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Tang, Jianshi…[et al.]. Formation and Device Application of Ge Nanowire Heterostructures via Rapid Thermal Annealing. Advances in Materials Science and Engineering No. 2011 (2011), pp.1-16.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-462917
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Tang, Jianshi& Wang, Chiu-Yen& Xiu, Faxian& Zhou, Yi& Chen, Lih-Juann& Wang, Kang L.. Formation and Device Application of Ge Nanowire Heterostructures via Rapid Thermal Annealing. Advances in Materials Science and Engineering. 2011. Vol. 2011, no. 2011, pp.1-16.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-462917
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-462917
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر