![](/images/graphics-bg.png)
Numerical Simulation of the Effect of Heater Position on the Oxygen Concentration in the CZ Silicon Crystal Growth Process
المؤلفون المشاركون
Chen, Chi-Yung
Chen, Hsueh-I
Chen, Jyh-Chen
Lu, Chung-Wei
Teng, Ying-Yang
Huang, Cheng-Chuan
Lan, Wen-Chieh
Wun, Wan-Ting
المصدر
International Journal of Photoenergy
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-03-15
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We perform numerical simulations to analyze the effect of the position of the heater on the thermal and flow fields and the oxygen concentration distribution during the industrial Cz silicon crystal growth process.
The amount of oxygen released from the silica crucible to the silicon melt during the growth process can be lowered by adjusting the heater position to decrease the temperature on the crucible wall.
During growth of the crystal body, there is a significant decrease in the gradient of the oxygen concentration along the melt-crystal interface due to the stronger Taylor-Proudman vortex, which is generated by the crucible and crystal rotation.
There is a significant reduction in the average oxygen concentration at the melt-crystal interface for longer crystal lengths because of the lower wall temperature, smaller contact surface between the crucible wall and the melt and the stronger Taylor-Proudman vortex.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Teng, Ying-Yang& Chen, Jyh-Chen& Lu, Chung-Wei& Huang, Cheng-Chuan& Wun, Wan-Ting& Chen, Hsueh-I…[et al.]. 2012. Numerical Simulation of the Effect of Heater Position on the Oxygen Concentration in the CZ Silicon Crystal Growth Process. International Journal of Photoenergy،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-468748
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Teng, Ying-Yang…[et al.]. Numerical Simulation of the Effect of Heater Position on the Oxygen Concentration in the CZ Silicon Crystal Growth Process. International Journal of Photoenergy No. 2012 (2012), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-468748
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Teng, Ying-Yang& Chen, Jyh-Chen& Lu, Chung-Wei& Huang, Cheng-Chuan& Wun, Wan-Ting& Chen, Hsueh-I…[et al.]. Numerical Simulation of the Effect of Heater Position on the Oxygen Concentration in the CZ Silicon Crystal Growth Process. International Journal of Photoenergy. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-468748
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-468748
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)