Electrical and electronical properties of silicon nanostructure produced by electronical etching

العناوين الأخرى

الخصائص الكهربائية و الإلكترونية للسليكون ذو التركيب النانوي المحظر باستخدام طريقة التنميش الكيمياوي

المؤلفون المشاركون

Rashid, B. G.
Salim, E. T.

المصدر

Engineering and Technology Journal

العدد

المجلد 27، العدد 14 (30 نوفمبر/تشرين الثاني 2009)، ص ص. 2523-2530، 8ص.

الناشر

الجامعة التكنولوجية

تاريخ النشر

2009-11-30

دولة النشر

العراق

عدد الصفحات

8

التخصصات الرئيسية

الكيمياء

الموضوعات

الملخص AR

في هذا البحث، تم تحضير السليكون المسامي مشتملا على السلكون ذو التركيب النانوي على بلوره سليكون باستخدام شروط تحضير مختلفة.

حيث تم استخدام تقنية التنميش الكهروكيميائي من اجل تحضير طبقة السليكون المسامي، اللازم من اجل الحصول على المفرق الهجيني نوع (Ps / Si).

تم قياس الخصائص الالكترونية و وجدت لتكون معتمدا على مقدار تيار التكوين و تم تحديد مخطط الطاقة للنبيطه المحضرة.

إن هذه النبيطه يمكن أن تستخدم في مختلفا التطبيقات و وجد ليكون من النوع الحاد.

الملخص EN

Porous silicon constituting silicon nanostructures layer have been produce on crystal silicon using different preparation condition in electronical etching process.

The electrical properties of the PS / c-Si heterojunction were studied and adopted to obtain the electronic structure and construct the energy band diagram of the device.

This device could be used in various applications and was found to be a staggered type.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Rashid, B. G.& Salim, E. T.. 2009. Electrical and electronical properties of silicon nanostructure produced by electronical etching. Engineering and Technology Journal،Vol. 27, no. 14, pp.2523-2530.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-47261

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Rashid, B. G.& Salim, E. T.. Electrical and electronical properties of silicon nanostructure produced by electronical etching. Engineering and Technology Journal Vol. 27, no. 14 (2009), pp.2523-2530.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-47261

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Rashid, B. G.& Salim, E. T.. Electrical and electronical properties of silicon nanostructure produced by electronical etching. Engineering and Technology Journal. 2009. Vol. 27, no. 14, pp.2523-2530.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-47261

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Text in English ; abstracts in English and Arabic.

رقم السجل

BIM-47261