Electrical and electronical properties of silicon nanostructure produced by electronical etching

Other Title(s)

الخصائص الكهربائية و الإلكترونية للسليكون ذو التركيب النانوي المحظر باستخدام طريقة التنميش الكيمياوي

Joint Authors

Rashid, B. G.
Salim, E. T.

Source

Engineering and Technology Journal

Issue

Vol. 27, Issue 14 (30 Nov. 2009), pp.2523-2530, 8 p.

Publisher

University of Technology

Publication Date

2009-11-30

Country of Publication

Iraq

No. of Pages

8

Main Subjects

Chemistry

Topics

Abstract AR

في هذا البحث، تم تحضير السليكون المسامي مشتملا على السلكون ذو التركيب النانوي على بلوره سليكون باستخدام شروط تحضير مختلفة.

حيث تم استخدام تقنية التنميش الكهروكيميائي من اجل تحضير طبقة السليكون المسامي، اللازم من اجل الحصول على المفرق الهجيني نوع (Ps / Si).

تم قياس الخصائص الالكترونية و وجدت لتكون معتمدا على مقدار تيار التكوين و تم تحديد مخطط الطاقة للنبيطه المحضرة.

إن هذه النبيطه يمكن أن تستخدم في مختلفا التطبيقات و وجد ليكون من النوع الحاد.

Abstract EN

Porous silicon constituting silicon nanostructures layer have been produce on crystal silicon using different preparation condition in electronical etching process.

The electrical properties of the PS / c-Si heterojunction were studied and adopted to obtain the electronic structure and construct the energy band diagram of the device.

This device could be used in various applications and was found to be a staggered type.

American Psychological Association (APA)

Rashid, B. G.& Salim, E. T.. 2009. Electrical and electronical properties of silicon nanostructure produced by electronical etching. Engineering and Technology Journal،Vol. 27, no. 14, pp.2523-2530.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-47261

Modern Language Association (MLA)

Rashid, B. G.& Salim, E. T.. Electrical and electronical properties of silicon nanostructure produced by electronical etching. Engineering and Technology Journal Vol. 27, no. 14 (2009), pp.2523-2530.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-47261

American Medical Association (AMA)

Rashid, B. G.& Salim, E. T.. Electrical and electronical properties of silicon nanostructure produced by electronical etching. Engineering and Technology Journal. 2009. Vol. 27, no. 14, pp.2523-2530.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-47261

Data Type

Journal Articles

Language

English

Notes

Text in English ; abstracts in English and Arabic.

Record ID

BIM-47261