![](/images/graphics-bg.png)
60Co-Gamma Ray Induced Total Dose Effects on P-Channel MOSFETs
المؤلفون المشاركون
Balakrishna, Kagalagodu Manjunathiah
Jayanna, Halepoojar Siddalingappa
Singh, Vikram
Nagaraj, Shashank
Damle, Ramakrishna
المصدر
Indian Journal of Materials Science
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-11-03
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Total Dose Effect (TDE) on solid state devices is of serious concern as it changes the electrical properties leading to degradation of the devices and failure of the systems associated with them.
Ionization caused due to TDE in commercial P-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) has been studied, where the failure mechanism is found to be mainly a result of the changes in the oxide properties and the surface effects at the channel beneath the gate oxide.
The threshold voltage of the MOSFETs was found to shift from −0.69 V to −2.41 V for a total gamma dose of 1 Mrad.
The net negative threshold shifts in the irradiated devices reveal the major contribution of oxide trapped charges to device degradation.
The radiation induced oxide and interface charge densities were estimated through subthreshold measurements, and the trap densities were found to increase by one order in magnitude after a total gamma dose of 1 Mrad.
Other parameters like transconductance, subthreshold swing, and drain saturation current are also investigated as a function of gamma dose.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Nagaraj, Shashank& Singh, Vikram& Jayanna, Halepoojar Siddalingappa& Balakrishna, Kagalagodu Manjunathiah& Damle, Ramakrishna. 2013. 60Co-Gamma Ray Induced Total Dose Effects on P-Channel MOSFETs. Indian Journal of Materials Science،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-473767
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Nagaraj, Shashank…[et al.]. 60Co-Gamma Ray Induced Total Dose Effects on P-Channel MOSFETs. Indian Journal of Materials Science No. 2013 (2013), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-473767
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Nagaraj, Shashank& Singh, Vikram& Jayanna, Halepoojar Siddalingappa& Balakrishna, Kagalagodu Manjunathiah& Damle, Ramakrishna. 60Co-Gamma Ray Induced Total Dose Effects on P-Channel MOSFETs. Indian Journal of Materials Science. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-473767
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-473767
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)