PECVD Silicon Nitride Passivation on Boron Emitter : The Analysis of Electrostatic Charge on the Interface Properties
المؤلفون المشاركون
Ren, Yongling
Weber, Klaus J.
Nursam, Natalita M.
المصدر
العدد
المجلد 2010، العدد 2010 (31 ديسمبر/كانون الأول 2010)، ص ص. 1-8، 8ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2010-06-29
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The dependence of surface recombination of boron diffused and undiffused silicon surfaces passivated with a-SiNx:H on the net charge density is investigated in detail.
The films are deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition using a 2.45 GHz microwave remote plasma system.
The surface charge density on the samples is varied by depositing charge using a corona discharge chamber.
Excess carrier lifetime, capacitance-voltage, and Kelvin probe measurements are combined to determine the surface recombination velocity and emitter saturation current density as a function of net charge density.
Our results show that the application of negative charge causes a substantial reduction in the surface recombination of samples with boron diffused emitters, even for high boron surface concentrations of 5×1019 cm−3.
The significant difference observed in surface recombination between boron diffused and undiffused sample under accumulation implies that the presence of boron diffusion has results in some degradation of the Si-SiNx interface.
Further, (111) oriented surfaces appear more sensitive to the boron surface concentration than (100) oriented surfaces.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Nursam, Natalita M.& Ren, Yongling& Weber, Klaus J.. 2010. PECVD Silicon Nitride Passivation on Boron Emitter : The Analysis of Electrostatic Charge on the Interface Properties. Advances in OptoElectronics،Vol. 2010, no. 2010, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-475576
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Nursam, Natalita M.…[et al.]. PECVD Silicon Nitride Passivation on Boron Emitter : The Analysis of Electrostatic Charge on the Interface Properties. Advances in OptoElectronics No. 2010 (2010), pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-475576
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Nursam, Natalita M.& Ren, Yongling& Weber, Klaus J.. PECVD Silicon Nitride Passivation on Boron Emitter : The Analysis of Electrostatic Charge on the Interface Properties. Advances in OptoElectronics. 2010. Vol. 2010, no. 2010, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-475576
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-475576
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر