A Very Robust AlGaNGaN HEMT Technology to High Forward Gate Bias and Current
المؤلفون المشاركون
Vetury, Ramakrishna
Heller, Eric R.
Shealy, Jeffrey B.
Coutu, Ronald A.
Christiansen, Bradley D.
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-4، 4ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-08-28
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
4
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Reports to date of GaN HEMTs subjected to forward gate bias stress include varied extents of degradation.
We report an extremely robust GaN HEMT technology that survived—contrary to conventional wisdom—high forward gate bias (+6 V) and current (>1.8 A/mm) for >17.5 hours exhibiting only a slight change in gate diode characteristic, little decrease in maximum drain current, with only a 0.1 V positive threshold voltage shift, and, remarkably, a persisting breakdown voltage exceeding 200 V.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Christiansen, Bradley D.& Heller, Eric R.& Coutu, Ronald A.& Vetury, Ramakrishna& Shealy, Jeffrey B.. 2012. A Very Robust AlGaNGaN HEMT Technology to High Forward Gate Bias and Current. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-476044
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Christiansen, Bradley D.…[et al.]. A Very Robust AlGaNGaN HEMT Technology to High Forward Gate Bias and Current. Active and Passive Electronic Components No. 2012 (2012), pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-476044
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Christiansen, Bradley D.& Heller, Eric R.& Coutu, Ronald A.& Vetury, Ramakrishna& Shealy, Jeffrey B.. A Very Robust AlGaNGaN HEMT Technology to High Forward Gate Bias and Current. Active and Passive Electronic Components. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-476044
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-476044
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر