Strain Effects on Optical Properties of (In,Ga)As-Capped InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs (113)A Substrate
المؤلفون المشاركون
Bouzaïene, Lotfi
Bennour, Mouna
Saidi, Faouzi
Maaref, Hassen
Sfaxi, Larbi
المصدر
International Journal of Spectroscopy
العدد
المجلد 2011، العدد 2011 (31 ديسمبر/كانون الأول 2011)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2011-10-31
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We have investigated the optical properties of InAs/GaAs (113)A quantum dots grown by molecular beam epitaxy (MBE) capped by (In,Ga)As.
Reflection high-energy electron diffraction (RHEED) is used to investigate the formation process of InAs quantum dots (QDs).
A broadening of the PL emission due to size distribution of the dots, when InAs dots are capped by GaAs, was observed.
A separation between large and small quantum dots, when they are encapsulated by InGaAs, was shown due to hydrostatic and biaxial strain action on large and small dots grown under specifically growth conditions.
The PL polarization measurements have shown that the small dots require an elongated form, but the large dots present a quasi-isotropic behavior.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Saidi, Faouzi& Bennour, Mouna& Bouzaïene, Lotfi& Sfaxi, Larbi& Maaref, Hassen. 2011. Strain Effects on Optical Properties of (In,Ga)As-Capped InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs (113)A Substrate. International Journal of Spectroscopy،Vol. 2011, no. 2011, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-478824
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Saidi, Faouzi…[et al.]. Strain Effects on Optical Properties of (In,Ga)As-Capped InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs (113)A Substrate. International Journal of Spectroscopy No. 2011 (2011), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-478824
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Saidi, Faouzi& Bennour, Mouna& Bouzaïene, Lotfi& Sfaxi, Larbi& Maaref, Hassen. Strain Effects on Optical Properties of (In,Ga)As-Capped InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs (113)A Substrate. International Journal of Spectroscopy. 2011. Vol. 2011, no. 2011, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-478824
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-478824
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر