Electrical Properties of Rapidly Annealed Ir and IrAu Schottky Contacts on n-Type InGaN
المؤلفون المشاركون
Prasanna Lakshmi, B.
Padma, R.
Reddy, V. Rajagopal
المصدر
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-9، 9ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-02-08
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The effect of annealing temperature on electrical characteristics of iridium (Ir) and iridium/gold (Ir/Au) Schottky contacts to n-type InGaN have been investigated by means of current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) techniques.
It is observed that the barrier height of Ir/n-InGaN and Au/Ir/n-InGaN Schottky diodes increases after annealing at 300∘C for 1 min in N2 ambient compared to the as-deposited.
However, the barrier heights are found to be decreased somewhat after annealing at 500∘C for the both Ir and Ir/Au Schottky contacts.
From the above observations, it is clear that the optimum annealing temperature for both Ir and Ir/Au Schottky contacts is 300∘C.
Moreover, the barrier height (ϕb), ideality factor (n) and series resistance (RS) are determined using Cheung’s and Norde methods.
Besides, the energy distribution of interface state densities are determined from the forward bias I-V characteristics by taking into account the bias dependence of the effective barrier height.
Based on the above results, it is clear that both Ir and Ir/Au Schottky contacts exhibit a kind of thermal stability during annealing.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Reddy, V. Rajagopal& Prasanna Lakshmi, B.& Padma, R.. 2012. Electrical Properties of Rapidly Annealed Ir and IrAu Schottky Contacts on n-Type InGaN. Journal of Metallurgy،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-479207
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Reddy, V. Rajagopal…[et al.]. Electrical Properties of Rapidly Annealed Ir and IrAu Schottky Contacts on n-Type InGaN. Journal of Metallurgy No. 2012 (2012), pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-479207
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Reddy, V. Rajagopal& Prasanna Lakshmi, B.& Padma, R.. Electrical Properties of Rapidly Annealed Ir and IrAu Schottky Contacts on n-Type InGaN. Journal of Metallurgy. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-479207
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-479207
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر