Charge-Trapping Devices Using Multilayered Dielectrics for Nonvolatile Memory Applications
المؤلفون المشاركون
Cheng, Chih-Hao
Chiu, Fu-Chien
Lee, Joseph Ya-min
Shih, Wen-Chieh
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-11-21
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الملخص EN
Charge-trapping devices using multilayered dielectrics were studied for nonvolatile memory applications.
The device structure is Al/Y2O3/Ta2O5/SiO2/Si (MYTOS).
The MYTOS field effect transistors were fabricated using Ta2O5 as the charge storage layer and Y2O3 as the blocking layer.
The electrical characteristics of memory window, program/erase characteristics, and data retention were examined.
The memory window is about 1.6 V.
Using a pulse voltage of 6 V, a threshold voltage shift of ~1 V can be achieved within 10 ns.
The MYTOS transistors can retain a memory window of 0.81 V for 10 years.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Shih, Wen-Chieh& Cheng, Chih-Hao& Lee, Joseph Ya-min& Chiu, Fu-Chien. 2013. Charge-Trapping Devices Using Multilayered Dielectrics for Nonvolatile Memory Applications. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-480545
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Shih, Wen-Chieh…[et al.]. Charge-Trapping Devices Using Multilayered Dielectrics for Nonvolatile Memory Applications. Advances in Materials Science and Engineering No. 2013 (2013), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-480545
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Shih, Wen-Chieh& Cheng, Chih-Hao& Lee, Joseph Ya-min& Chiu, Fu-Chien. Charge-Trapping Devices Using Multilayered Dielectrics for Nonvolatile Memory Applications. Advances in Materials Science and Engineering. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-480545
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-480545
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر