![](/images/graphics-bg.png)
Charge-Trapping Devices Using Multilayered Dielectrics for Nonvolatile Memory Applications
المؤلفون المشاركون
Cheng, Chih-Hao
Chiu, Fu-Chien
Lee, Joseph Ya-min
Shih, Wen-Chieh
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-11-21
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الملخص EN
Charge-trapping devices using multilayered dielectrics were studied for nonvolatile memory applications.
The device structure is Al/Y2O3/Ta2O5/SiO2/Si (MYTOS).
The MYTOS field effect transistors were fabricated using Ta2O5 as the charge storage layer and Y2O3 as the blocking layer.
The electrical characteristics of memory window, program/erase characteristics, and data retention were examined.
The memory window is about 1.6 V.
Using a pulse voltage of 6 V, a threshold voltage shift of ~1 V can be achieved within 10 ns.
The MYTOS transistors can retain a memory window of 0.81 V for 10 years.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Shih, Wen-Chieh& Cheng, Chih-Hao& Lee, Joseph Ya-min& Chiu, Fu-Chien. 2013. Charge-Trapping Devices Using Multilayered Dielectrics for Nonvolatile Memory Applications. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-480545
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Shih, Wen-Chieh…[et al.]. Charge-Trapping Devices Using Multilayered Dielectrics for Nonvolatile Memory Applications. Advances in Materials Science and Engineering No. 2013 (2013), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-480545
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Shih, Wen-Chieh& Cheng, Chih-Hao& Lee, Joseph Ya-min& Chiu, Fu-Chien. Charge-Trapping Devices Using Multilayered Dielectrics for Nonvolatile Memory Applications. Advances in Materials Science and Engineering. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-480545
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-480545
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)