Analysis of Kink Reduction in SOI MOSFET Using Selective Back Oxide Structure
المؤلفون المشاركون
Pal, Dipankar
Chandra, Mahesh
Mazhari, Baquer
Narayanan, M.
al-Nashash, Hasan
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-9، 9ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-07-24
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
9
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
This paper presents a complete analysis of the kink effect in SOI MOSFET and proposes a method for eliminating kink effect observed in the current-voltage output characteristics of a partially depleted SOI MOSFET device.
In this method, back oxide for the device is introduced at selected regions below the source and drain and not continuously as in an SOI device giving rise to what is termed a “SELBOX” structure.
Selective back oxide structure with different gap lengths and thicknesses was studied.
Results obtained through numerical simulations indicate that the proposed structure can significantly reduce the kink while still preserving major advantages offered by conventional SOI structure.
Although the new structure is capable of eliminating kink, for narrow gaps the device may still exhibit some kink effect.
A device model that explains the kink behavior of the structure for varying gap lengths is also developed.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Narayanan, M.& al-Nashash, Hasan& Mazhari, Baquer& Pal, Dipankar& Chandra, Mahesh. 2012. Analysis of Kink Reduction in SOI MOSFET Using Selective Back Oxide Structure. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-481252
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Narayanan, M.…[et al.]. Analysis of Kink Reduction in SOI MOSFET Using Selective Back Oxide Structure. Active and Passive Electronic Components No. 2012 (2012), pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-481252
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Narayanan, M.& al-Nashash, Hasan& Mazhari, Baquer& Pal, Dipankar& Chandra, Mahesh. Analysis of Kink Reduction in SOI MOSFET Using Selective Back Oxide Structure. Active and Passive Electronic Components. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-9.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-481252
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-481252
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر