Fowler-Nordheim Tunneling Characterization on Poly1-Poly2 Capacitors for the Implementation of Analog Memories in CMOS 0.5 μm Technology

المؤلفون المشاركون

Morales-Acevedo, Arturo
Rosales-Quintero, Pedro
Molinar-Solis, Jesus Ezequiel
Diaz-Sanchez, Alejandro
Garcia-Lozano, Rodolfo Z.
Rocha-Perez, Jose M.
Tinajero-Perez, Enrique J.

المصدر

Advances in Condensed Matter Physics

العدد

المجلد 2014، العدد 2014 (31 ديسمبر/كانون الأول 2014)، ص ص. 1-7، 7ص.

الناشر

Hindawi Publishing Corporation

تاريخ النشر

2014-02-23

دولة النشر

مصر

عدد الصفحات

7

التخصصات الرئيسية

الفيزياء

الملخص EN

The experimental results of the Fowler-Nordheim characterization using poly1-poly2 capacitors on CMOS ON Semi 0.5 μm technology are presented.

This characterization allows the development, design, and characterization of a new current-mode analog nonvolatile memory.

Experimental results of the memory cell architecture are presented and demonstrate the usefulness of the proposed architecture.

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Tinajero-Perez, Enrique J.& Molinar-Solis, Jesus Ezequiel& Garcia-Lozano, Rodolfo Z.& Rosales-Quintero, Pedro& Rocha-Perez, Jose M.& Diaz-Sanchez, Alejandro…[et al.]. 2014. Fowler-Nordheim Tunneling Characterization on Poly1-Poly2 Capacitors for the Implementation of Analog Memories in CMOS 0.5 μm Technology. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2014, no. 2014, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-486785

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Tinajero-Perez, Enrique J.…[et al.]. Fowler-Nordheim Tunneling Characterization on Poly1-Poly2 Capacitors for the Implementation of Analog Memories in CMOS 0.5 μm Technology. Advances in Condensed Matter Physics No. 2014 (2014), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-486785

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Tinajero-Perez, Enrique J.& Molinar-Solis, Jesus Ezequiel& Garcia-Lozano, Rodolfo Z.& Rosales-Quintero, Pedro& Rocha-Perez, Jose M.& Diaz-Sanchez, Alejandro…[et al.]. Fowler-Nordheim Tunneling Characterization on Poly1-Poly2 Capacitors for the Implementation of Analog Memories in CMOS 0.5 μm Technology. Advances in Condensed Matter Physics. 2014. Vol. 2014, no. 2014, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-486785

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes bibliographical references

رقم السجل

BIM-486785