Structural and Electrical Characteristics of Metal-Ferroelectric Pb1.1(Zr0.40Ti0.60)O3-Insulator (ZnO)-Silicon Capacitors for Nonvolatile Applications
المؤلفون المشاركون
Ilangovan, Rajangam
Krishnamoorthi, S. R.
Venkatesh, K. S.
المصدر
Advances in Condensed Matter Physics
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-07-24
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
In this work metal-ferroelectric-insulator-semiconductor (MFIS) thin-film structures using Pb1.1Zr0.40Ti0.60O3 (PZT) as the ferroelectric layer and zinc oxide (ZnO) as the insulator layer were fabricated on n-type (100) Si substrate.
Pb1.1Zr0.40Ti0.60O3 and ZnO thin films were prepared on Si by the sol-gel route and thermal deposition method, respectively.
On the optimized PZT (140 nm) and ZnO (40 nm) films were examined by scanning electron microscope (SEM).
From AFM data the root mean square (r.m.s.) roughness of the film surface is 13.11 nm.
The leakage current density of ZnO/n-Si (MIS) structure was as low as 1.8 × 10−8 A/cm2 at 2.5 V.
The capacitance versus voltage (C-V) characteristics of the annealed ZnO/Si (MIS) diode indicated the good interface properties and no hysteresis was observed.
Au/PZT (140 nm)/ZnO (40 nm)/Si (100) leakage-current density was about 5.7 × 10−8 A/cm2 at positive bias voltage of 3 V.
The large memory window width in C-V (capacitance-voltage) curve of Au/PZT/ZnO/Si capacitor was about 2.9 V under ±12 V which thus possibly enables nonvolatile applications.
The memory window as a function of temperature was also discussed.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Krishnamoorthi, S. R.& Venkatesh, K. S.& Ilangovan, Rajangam. 2013. Structural and Electrical Characteristics of Metal-Ferroelectric Pb1.1(Zr0.40Ti0.60)O3-Insulator (ZnO)-Silicon Capacitors for Nonvolatile Applications. Advances in Condensed Matter Physics،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-490997
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Krishnamoorthi, S. R.…[et al.]. Structural and Electrical Characteristics of Metal-Ferroelectric Pb1.1(Zr0.40Ti0.60)O3-Insulator (ZnO)-Silicon Capacitors for Nonvolatile Applications. Advances in Condensed Matter Physics No. 2013 (2013), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-490997
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Krishnamoorthi, S. R.& Venkatesh, K. S.& Ilangovan, Rajangam. Structural and Electrical Characteristics of Metal-Ferroelectric Pb1.1(Zr0.40Ti0.60)O3-Insulator (ZnO)-Silicon Capacitors for Nonvolatile Applications. Advances in Condensed Matter Physics. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-490997
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-490997
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر