Characterization of Series Resistance and Mobility Degradation Parameter and Optimizing Choice of Oxide Thickness in Thin Oxide N-Channel MOSFET
المؤلفون المشاركون
Maouhoub, Noureddine
Rais, Khalid
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2011، العدد 2011 (31 ديسمبر/كانون الأول 2011)، ص ص. 1-4، 4ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2011-10-13
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
4
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
We present two methods to extract the series resistance and the mobility degradation parameter in short-channel MOSFETs.
The principle of the first method is based on the comparison between the exponential model and the classical model of effective mobility and for the second method is based on directly calculating the two parameters by solving a system of two equations obtained by using two different points in strong inversion at small drain bias from the characteristic Id (Vg).
The results obtained by these techniques have shown a better agreement with data measurements and allowed in the same time to determine the surface roughness amplitude and its influence on the maximum drain current and give the optimal oxide thickness.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Maouhoub, Noureddine& Rais, Khalid. 2011. Characterization of Series Resistance and Mobility Degradation Parameter and Optimizing Choice of Oxide Thickness in Thin Oxide N-Channel MOSFET. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2011, no. 2011, pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-492599
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Maouhoub, Noureddine& Rais, Khalid. Characterization of Series Resistance and Mobility Degradation Parameter and Optimizing Choice of Oxide Thickness in Thin Oxide N-Channel MOSFET. Active and Passive Electronic Components No. 2011 (2011), pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-492599
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Maouhoub, Noureddine& Rais, Khalid. Characterization of Series Resistance and Mobility Degradation Parameter and Optimizing Choice of Oxide Thickness in Thin Oxide N-Channel MOSFET. Active and Passive Electronic Components. 2011. Vol. 2011, no. 2011, pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-492599
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-492599
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر