![](/images/graphics-bg.png)
Noise Performance of Heterojunction DDR MITATT Devices Based on Si~Si1−xGex at W-Band
المؤلفون المشاركون
Acharyya, Aritra
Banerjee, J. P.
Banerjee, Suranjana
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-04-28
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Noise performance of different structures of Si~Si1-xGex anisotype heterojunction double-drift region (DDR) mixed tunneling and avalanche transit time (MITATT) devices has been studied.
The devices are designed for operation at millimeter-wave W-band frequencies.
A simulation model has been developed to study the noise spectral density and noise measure of the device.
Two different mole fractions x=0.1 and x=0.3 of Ge and corresponding four types of device structure are considered for the simulation.
The results show that the n−Si0.7Ge0.3~P-Si heterojunction DDR structure of MITATT device excels all other structures as regards noise spectral density (0.82×10−16 V2 sec) and noise measure (33.09 dB) as well as millimeter-wave properties such as DC-to-RF conversion efficiency (20.15%) and CW power output (773.29 mW).
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Banerjee, Suranjana& Acharyya, Aritra& Banerjee, J. P.. 2013. Noise Performance of Heterojunction DDR MITATT Devices Based on Si~Si1−xGex at W-Band. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-493223
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Banerjee, Suranjana…[et al.]. Noise Performance of Heterojunction DDR MITATT Devices Based on Si~Si1−xGex at W-Band. Active and Passive Electronic Components No. 2013 (2013), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-493223
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Banerjee, Suranjana& Acharyya, Aritra& Banerjee, J. P.. Noise Performance of Heterojunction DDR MITATT Devices Based on Si~Si1−xGex at W-Band. Active and Passive Electronic Components. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-493223
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-493223
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)