Gate Stack Engineering and Thermal Treatment on Electrical and Interfacial Properties of TiPtHfO2InAs pMOS Capacitors
المؤلفون المشاركون
Chyi, Jen-Inn
Li, Pei-Wen
Chiu, Pei-Chin
Hsu, Jei-Wei
Chien, Chung-Yen
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-07-02
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Effects of gate stack engineering and thermal treatment on electrical and interfacial properties of Ti/Pt/HfO2/InAs metal insulator semiconductor (MIS) capacitors were systematically evaluated in terms of transmission electron microscopy, energy dispersive X-ray spectroscopy, current-voltage, and capacitance-voltage characterizations.
A 10 nm thick Pt metal effectively suppresses the formation of interfacial oxide, TiO2, between the Ti gate and HfO2 gate dielectric layer, enhancing the gate modulation on the surface potential of InAs.
An in situ HfO2 deposition onto the n-InAs channel with an interfacial layer (IL) of one-monolayer InP followed by a 300°C post-metal-anneal produces a high-quality HfO2/InAs interface and thus unravels the annoying Fermi-level pinning, which is evidenced by the distinct capacitance dips in the high-/low-frequency C-V characteristics.
The interface trap states could be further suppressed by replacing the InP IL by an As-rich InAs, which is substantiated by a gate leakage reduction and a steep voltage-dependent depletion capacitance.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Chien, Chung-Yen& Hsu, Jei-Wei& Chiu, Pei-Chin& Chyi, Jen-Inn& Li, Pei-Wen. 2012. Gate Stack Engineering and Thermal Treatment on Electrical and Interfacial Properties of TiPtHfO2InAs pMOS Capacitors. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-494015
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Chien, Chung-Yen…[et al.]. Gate Stack Engineering and Thermal Treatment on Electrical and Interfacial Properties of TiPtHfO2InAs pMOS Capacitors. Active and Passive Electronic Components No. 2012 (2012), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-494015
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Chien, Chung-Yen& Hsu, Jei-Wei& Chiu, Pei-Chin& Chyi, Jen-Inn& Li, Pei-Wen. Gate Stack Engineering and Thermal Treatment on Electrical and Interfacial Properties of TiPtHfO2InAs pMOS Capacitors. Active and Passive Electronic Components. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-494015
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-494015
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر