Analysis of Leakage Reduction Techniques in Independent-Gate DG FinFET SRAM Cell
المؤلفون المشاركون
Khandelwal, Saurabh
Sikarwar, Vandna
Akashe, Shyam
المصدر
Chinese Journal of Engineering
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-8، 8ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-09-02
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الملخص EN
Scaling of devices in bulk CMOS technology leads to short-channel effects and increase in leakage.
Static random access memory (SRAM) is expected to occupy 90% of the area of SoC.
Since leakage becomes the major factor in SRAM cell, it is implemented using FinFET.
Further, double-gate FinFET devices became a better choice for deep submicron technologies.
With this consideration in our research work, 6T SRAM cell is implemented using independent-gate DG FinFET in which both the opposite sides of gates are controlled independently which provides better scalability to the SRAM cell.
The device is implemented using different leakage reduction techniques such as gated-Vdd technique and multithreshold voltage technique to reduce leakage.
Therefore, power consumption in the SRAM cell is reduced and provides better performance.
Independent-gate FinFET SRAM cell using various leakage reduction techniques has been simulated using Cadence virtuoso tool in 45 nm technology.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Sikarwar, Vandna& Khandelwal, Saurabh& Akashe, Shyam. 2013. Analysis of Leakage Reduction Techniques in Independent-Gate DG FinFET SRAM Cell. Chinese Journal of Engineering،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-494759
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Sikarwar, Vandna…[et al.]. Analysis of Leakage Reduction Techniques in Independent-Gate DG FinFET SRAM Cell. Chinese Journal of Engineering No. 2013 (2013), pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-494759
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Sikarwar, Vandna& Khandelwal, Saurabh& Akashe, Shyam. Analysis of Leakage Reduction Techniques in Independent-Gate DG FinFET SRAM Cell. Chinese Journal of Engineering. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-8.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-494759
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-494759
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر