Ultrathin Oxide Passivation Layer by Rapid Thermal Oxidation for the Silicon Heterojunction Solar Cell Applications
المؤلفون المشاركون
Oh, Woongkyo
Hussain, Shahzada Qamar
Dao, Vinh Ai
Yi, Junsin
Lee, Youngseok
المصدر
International Journal of Photoenergy
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-03-12
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
It is difficult to deposit extremely thin a-Si:H layer in heterojunction with intrinsic thin layer (HIT) solar cell due to thermal damage and tough process control.
This study aims to understand oxide passivation mechanism of silicon surface using rapid thermal oxidation (RTO) process by examining surface effective lifetime and surface recombination velocity.
The presence of thin insulating a-Si:H layer is the key to get high Voc by lowering the leakage current (I0) which improves the efficiency of HIT solar cell.
The ultrathin thermal passivation silicon oxide (SiO2) layer was deposited by RTO system in the temperature range 500–950°C for 2 to 6 minutes.
The thickness of the silicon oxide layer was affected by RTO annealing temperature and treatment time.
The best value of surface recombination velocity was recorded for the sample treated at a temperature of 850°C for 6 minutes at O2 flow rate of 3 Lpm.
A surface recombination velocity below 25 cm/s was obtained for the silicon oxide layer of 4 nm thickness.
This ultrathin SiO2 layer was employed for the fabrication of HIT solar cell structure instead of a-Si:H, (i) layer and the passivation and tunneling effects of the silicon oxide layer were exploited.
The photocurrent was decreased with the increase of illumination intensity and SiO2 thickness.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Lee, Youngseok& Oh, Woongkyo& Dao, Vinh Ai& Hussain, Shahzada Qamar& Yi, Junsin. 2012. Ultrathin Oxide Passivation Layer by Rapid Thermal Oxidation for the Silicon Heterojunction Solar Cell Applications. International Journal of Photoenergy،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-496049
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Lee, Youngseok…[et al.]. Ultrathin Oxide Passivation Layer by Rapid Thermal Oxidation for the Silicon Heterojunction Solar Cell Applications. International Journal of Photoenergy No. 2012 (2012), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-496049
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Lee, Youngseok& Oh, Woongkyo& Dao, Vinh Ai& Hussain, Shahzada Qamar& Yi, Junsin. Ultrathin Oxide Passivation Layer by Rapid Thermal Oxidation for the Silicon Heterojunction Solar Cell Applications. International Journal of Photoenergy. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-496049
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-496049
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر