![](/images/graphics-bg.png)
Influence of Series Massive Resistance on Capacitance and Conductance Characteristics in Gate-Recessed Nanoscale SOI MOSFETs
المؤلفون المشاركون
Chelly, Avraham
Karsenty, Avraham
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2013، العدد 2013 (31 ديسمبر/كانون الأول 2013)، ص ص. 1-11، 11ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2013-12-11
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
11
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Ultrathin body (UTB) and nanoscale body (NSB) SOI MOSFET devices, having a channel thickness (tSI) ranging from 46 nm (UTB scale) down to 1.6 nm (NSB scale), were fabricated using a selective “gate recessed” process on the same silicon wafer.
The gate-to-channel capacitance (Cp) and conductance (Gp) complementary characteristics, measured for NSB devices, were found to be radically different from those measured for UTBS.
Consistent Cp and Gp trends are observed by varying the frequency (f), the channel length (L), and the channel thickness (tSI).
In this paper, we show that these trends can be analytically modeled by a massive series resistance depending on the gate voltage and on the channel thickness.
The effects of leakage conductance and interface trap density are also modeled.
This modeling approach may be useful to analyze and/or simulate electrical behavior of nanodevices in which series resistance is of a great concern.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Karsenty, Avraham& Chelly, Avraham. 2013. Influence of Series Massive Resistance on Capacitance and Conductance Characteristics in Gate-Recessed Nanoscale SOI MOSFETs. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2013, no. 2013, pp.1-11.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-500113
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Karsenty, Avraham& Chelly, Avraham. Influence of Series Massive Resistance on Capacitance and Conductance Characteristics in Gate-Recessed Nanoscale SOI MOSFETs. Active and Passive Electronic Components No. 2013 (2013), pp.1-11.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-500113
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Karsenty, Avraham& Chelly, Avraham. Influence of Series Massive Resistance on Capacitance and Conductance Characteristics in Gate-Recessed Nanoscale SOI MOSFETs. Active and Passive Electronic Components. 2013. Vol. 2013, no. 2013, pp.1-11.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-500113
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-500113
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)