AlNGaN-Based MOS-HEMT Technology : Processing and Device Results
المؤلفون المشاركون
MacFarlane, D.
Wasige, E.
Taking, S.
المصدر
Active and Passive Electronic Components
العدد
المجلد 2011، العدد 2011 (31 ديسمبر/كانون الأول 2011)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2011-01-12
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Process development of AlN/GaN MOS-HEMTs is presented, along with issues and problems concerning the fabrication processes.
The developed technology uses thermally grown Al2O3 as a gate dielectric and surface passivation for devices.
Significant improvement in device performance was observed using the following techniques: (1) Ohmic contact optimisation using Al wet etch prior to Ohmic metal deposition and (2) mesa sidewall passivation.
DC and RF performance of the fabricated devices will be presented and discussed in this paper.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Taking, S.& MacFarlane, D.& Wasige, E.. 2011. AlNGaN-Based MOS-HEMT Technology : Processing and Device Results. Active and Passive Electronic Components،Vol. 2011, no. 2011, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-500825
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Taking, S.…[et al.]. AlNGaN-Based MOS-HEMT Technology : Processing and Device Results. Active and Passive Electronic Components No. 2011 (2011), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-500825
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Taking, S.& MacFarlane, D.& Wasige, E.. AlNGaN-Based MOS-HEMT Technology : Processing and Device Results. Active and Passive Electronic Components. 2011. Vol. 2011, no. 2011, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-500825
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-500825
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر