![](/images/graphics-bg.png)
Deposition and Characterization of CVD-Grown Ge-Sb Thin Film Device for Phase-Change Memory Application
المؤلفون المشاركون
Knight, K.
Gholipour, B.
Huang, C. C.
Ou, J. Y.
Hewak, D. W.
المصدر
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-04-23
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Germanium antimony (Ge-Sb) thin films with tuneable compositions have been fabricated on SiO2/Si, borosilicate glass, and quartz glass substrates by chemical vapour deposition (CVD).
Deposition takes place at atmospheric pressure using metal chloride precursors at reaction temperatures between 750 and 875°C.
The compositions and structures of these thin films have been characterized by micro-Raman, scanning electron microscope (SEM) with energy dispersive X-ray analysis (EDX) and X-ray diffraction (XRD) techniques.
A prototype Ge-Sb thin film phase-change memory device has been fabricated and reversible threshold and phase-change switching demonstrated electrically, with a threshold voltage of 2.2–2.5 V.
These CVD-grown Ge-Sb films show promise for applications such as phase-change memory and optical, electronic, and plasmonic switching.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Huang, C. C.& Gholipour, B.& Knight, K.& Ou, J. Y.& Hewak, D. W.. 2012. Deposition and Characterization of CVD-Grown Ge-Sb Thin Film Device for Phase-Change Memory Application. Advances in OptoElectronics،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-502379
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Huang, C. C.…[et al.]. Deposition and Characterization of CVD-Grown Ge-Sb Thin Film Device for Phase-Change Memory Application. Advances in OptoElectronics No. 2012 (2012), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-502379
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Huang, C. C.& Gholipour, B.& Knight, K.& Ou, J. Y.& Hewak, D. W.. Deposition and Characterization of CVD-Grown Ge-Sb Thin Film Device for Phase-Change Memory Application. Advances in OptoElectronics. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-502379
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-502379
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)