Silicon Carbide Emitter Turn-Off Thyristor
المؤلفون المشاركون
Wang, Jun
Li, Jun
Atcitty, Stan
Huang, Alex Q.
Melcher, Jerry
Wang, Gangyao
المصدر
International Journal of Power Management Electronics
العدد
المجلد 2008، العدد 2008 (31 ديسمبر/كانون الأول 2008)، ص ص. 1-5، 5ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2008-07-01
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
A novel MOS-controlled SiC thyristor device, the SiC emitter turn-off thyristor (ETO) is a promising technology for future high-voltage switching applications because it integrates the excellent current conduction capability of a SiC thyristor with a simple MOS-control interface.
Through unity-gain turn-off, the SiC ETO also achieves excellent Safe Operation Area (SOA) and faster switching speeds than silicon ETOs.
The world's first 4.5-kV SiC ETO prototype shows a forward voltage drop of 4.26 V at 26.5 A/cm2 current density at room and elevated temperatures.
Tested in an inductive circuit with a 2.5 kV DC link voltage and a 9.56-A load current, the SiC ETO shows a fast turn-off time of 1.63 microseconds and a low 9.88 mJ turn-off energy.
The low switching loss indicates that the SiC ETO could operate at about 4 kHz if 100 W/cm2 conduction and the 100 W/cm2 turn-off losses can be removed by the thermal management system.
This frequency capability is about 4 times higher than 4.5-kV-class silicon power devices.
The preliminary demonstration shows that the SiC ETO is a promising candidate for high-frequency, high-voltage power conversion applications, and additional developments to optimize the device for higher voltage (>5 kV) and higher frequency (10 kHz) are needed.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Wang, Jun& Wang, Gangyao& Li, Jun& Huang, Alex Q.& Melcher, Jerry& Atcitty, Stan. 2008. Silicon Carbide Emitter Turn-Off Thyristor. International Journal of Power Management Electronics،Vol. 2008, no. 2008, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-505791
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Wang, Jun…[et al.]. Silicon Carbide Emitter Turn-Off Thyristor. International Journal of Power Management Electronics No. 2008 (2008), pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-505791
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Wang, Jun& Wang, Gangyao& Li, Jun& Huang, Alex Q.& Melcher, Jerry& Atcitty, Stan. Silicon Carbide Emitter Turn-Off Thyristor. International Journal of Power Management Electronics. 2008. Vol. 2008, no. 2008, pp.1-5.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-505791
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-505791
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر