Modeling of Photoconductivity of Porous Silicon
المؤلفون المشاركون
Sokolovskii, B. S.
Pavlyk, M. R.
Parandii, P. P.
Monastyrskii, L. S.
المصدر
العدد
المجلد 2011، العدد 2011 (31 ديسمبر/كانون الأول 2011)، ص ص. 1-4، 4ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2011-08-24
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
4
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The paper investigates a model of the photoconductivity of macroporous silicon in the conditions of homogeneous generation of photocarriers.
By the finite element method, the stationary photoconductivity and the time evolution of photoconductivity after instantaneous shutdown of light are calculated.
Dependences of the stationary photoconductivity and relaxation time of photoconductivity on the velocity of recombination of nonequilibrium carriers at the surfaces of pores, radius of pores, and average distance between them are analyzed.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Monastyrskii, L. S.& Sokolovskii, B. S.& Pavlyk, M. R.& Parandii, P. P.. 2011. Modeling of Photoconductivity of Porous Silicon. Advances in OptoElectronics،Vol. 2011, no. 2011, pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-506326
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Monastyrskii, L. S.…[et al.]. Modeling of Photoconductivity of Porous Silicon. Advances in OptoElectronics No. 2011 (2011), pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-506326
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Monastyrskii, L. S.& Sokolovskii, B. S.& Pavlyk, M. R.& Parandii, P. P.. Modeling of Photoconductivity of Porous Silicon. Advances in OptoElectronics. 2011. Vol. 2011, no. 2011, pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-506326
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-506326
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر