Tunnel Contacts for Spin Injection into Silicon : The Si-Co Interface with and without a MgO Tunnel Barrier—A Study by High-Resolution Rutherford Backscattering
المؤلفون المشاركون
Dash, S. P.
Kopold, P.
Carstanjen, H. D.
Goll, D.
المصدر
Advances in Materials Science and Engineering
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-13، 13ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2011-12-22
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
13
التخصصات الرئيسية
العلوم الهندسية و تكنولوجيا المعلومات
الملخص EN
In order to obtain high spin injection efficiency, a ferromagnet-semiconducor Schottky contact must be of high crystalline quality.
This is particularly important in the case of ferromagnet-silicon interfaces, since these elements tend to mix and form silicides.
In this study Co-Si (100) interfaces were prepared in three different ways: by evaporation at room temperature, low temperature (−60C°), and with Sb as surfactant, and their interface structures were analyzed by high-resolution RBS (HRBS).
In all cases more or less strong in-diffusion of Co with subsequent silicide formation was observed.
In order to prevent the mixing of Co and Si, ultra thin MgO tunnel barriers were introduced in-between them.
In situ HRBS characterization confirms that the MgO films were very uniform and prevented the mixing of the Si substrate with deposited Co and Fe films effectively, even at 450C°.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Dash, S. P.& Goll, D.& Kopold, P.& Carstanjen, H. D.. 2011. Tunnel Contacts for Spin Injection into Silicon : The Si-Co Interface with and without a MgO Tunnel Barrier—A Study by High-Resolution Rutherford Backscattering. Advances in Materials Science and Engineering،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-13.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-506658
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Dash, S. P.…[et al.]. Tunnel Contacts for Spin Injection into Silicon : The Si-Co Interface with and without a MgO Tunnel Barrier—A Study by High-Resolution Rutherford Backscattering. Advances in Materials Science and Engineering No. 2012 (2012), pp.1-13.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-506658
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Dash, S. P.& Goll, D.& Kopold, P.& Carstanjen, H. D.. Tunnel Contacts for Spin Injection into Silicon : The Si-Co Interface with and without a MgO Tunnel Barrier—A Study by High-Resolution Rutherford Backscattering. Advances in Materials Science and Engineering. 2011. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-13.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-506658
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-506658
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر