Room Temperature Direct Band Gap Emission from Ge p-i-n Heterojunction Photodiodes
المؤلفون المشاركون
Oehme, M.
Schulze, J.
Kasper, E.
Werner, J.
Arguirov, T.
Kittler, M.
المصدر
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-4، 4ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-02-28
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
4
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
Room temperature direct band gap emission is observed for Si-substrate-based Ge p-i-n heterojunction photodiode structures operated under forward bias.
Comparisons of electroluminescence with photoluminescence spectra allow separating emission from intrinsic Ge (0.8 eV) and highly doped Ge (0.73 eV).
Electroluminescence stems from carrier injection into the intrinsic layer, whereas photoluminescence originates from the highly n-doped top layer because the exciting visible laser wavelength is strongly absorbed in Ge.
High doping levels led to an apparent band gap narrowing from carrier-impurity interaction.
The emission shifts to higher wavelengths with increasing current level which is explained by device heating.
The heterostructure layer sequence and the light emitting device are similar to earlier presented photodetectors.
This is an important aspect for monolithic integration of silicon microelectronics and silicon photonics.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Kasper, E.& Oehme, M.& Arguirov, T.& Werner, J.& Kittler, M.& Schulze, J.. 2012. Room Temperature Direct Band Gap Emission from Ge p-i-n Heterojunction Photodiodes. Advances in OptoElectronics،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-507835
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Kasper, E.…[et al.]. Room Temperature Direct Band Gap Emission from Ge p-i-n Heterojunction Photodiodes. Advances in OptoElectronics No. 2012 (2012), pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-507835
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Kasper, E.& Oehme, M.& Arguirov, T.& Werner, J.& Kittler, M.& Schulze, J.. Room Temperature Direct Band Gap Emission from Ge p-i-n Heterojunction Photodiodes. Advances in OptoElectronics. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-4.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-507835
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-507835
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر