![](/images/graphics-bg.png)
Effect of High-Temperature Annealing on Ion-Implanted Silicon Solar Cells
المؤلفون المشاركون
Hwang, Hae Chul
Kang, Min Gu
Hwang, Wook Jung
Boo, Hyunpil
Park, Sungeun
Lee, KyungDong
Kim, Donghwan
Kang, Hee Oh
Tark, Sung Ju
Lee, Jong-Han
Kim, Seongtak
المصدر
International Journal of Photoenergy
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-6، 6ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-03-20
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
P-type and n-type wafers were implanted with phosphorus and boron, respectively, for emitter formation and were annealed subsequently at 950∼1050∘C for 30∼90 min for activation.
Boron emitters were activated at 1000∘C or higher, while phosphorus emitters were activated at 950∘C.
QSSPC measurements show that the implied Voc of boron emitters increases about 15 mV and the J01 decreases by deep junction annealing even after the activation due to the reduced recombination in the emitter.
However, for phosphorus emitters the implied Voc decreases from 622 mV to 560 mV and the J01 increases with deep junction annealing.
This is due to the abrupt decrease in the bulk lifetime of the p-type wafer itself from 178 μs to 14 μs.
PC1D simulation based on these results shows that, for p-type implanted solar cells, increasing the annealing temperature and time abruptly decreases the efficiency (Δηabs=−1.3%), while, for n-type implanted solar cells, deep junction annealing increases the efficiency and Voc, especially (Δηabs=+0.4%) for backside emitter solar cells.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Boo, Hyunpil& Lee, Jong-Han& Kang, Min Gu& Lee, KyungDong& Kim, Seongtak& Hwang, Hae Chul…[et al.]. 2012. Effect of High-Temperature Annealing on Ion-Implanted Silicon Solar Cells. International Journal of Photoenergy،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-508362
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Boo, Hyunpil…[et al.]. Effect of High-Temperature Annealing on Ion-Implanted Silicon Solar Cells. International Journal of Photoenergy No. 2012 (2012), pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-508362
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Boo, Hyunpil& Lee, Jong-Han& Kang, Min Gu& Lee, KyungDong& Kim, Seongtak& Hwang, Hae Chul…[et al.]. Effect of High-Temperature Annealing on Ion-Implanted Silicon Solar Cells. International Journal of Photoenergy. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-6.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-508362
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-508362
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)