Effect of p-Layer and i-Layer Properties on the Electrical Behaviour of Advanced a-Si : Ha-SiGe:H Thin Film Solar Cell from Numerical Modeling Prospect
المؤلفون المشاركون
Kosarian, Abdolnabi
Jelodarian, Peyman
المصدر
International Journal of Photoenergy
العدد
المجلد 2012، العدد 2012 (31 ديسمبر/كانون الأول 2012)، ص ص. 1-7، 7ص.
الناشر
Hindawi Publishing Corporation
تاريخ النشر
2012-01-23
دولة النشر
مصر
عدد الصفحات
7
التخصصات الرئيسية
الملخص EN
The effect of p-layer and i-layer characteristics such as thickness and doping concentration on the electrical behaviors of the a-Si:H/a-SiGe:H thin film heterostructure solar cells such as electric field, photogeneration rate, and recombination rate through the cell is investigated.
Introducing Ge atoms to the Si lattice in Si-based solar cells is an effective approach in improving their characteristics.
In particular, current density of the cell can be enhanced without deteriorating its open-circuit voltage.
Optimization shows that for an appropriate Ge concentration, the efficiency of a-Si:H/a-SiGe solar cell is improved by about 6% compared with the traditional a-Si:H solar cell.
This work presents a novel numerical evaluation and optimization of amorphous silicon double-junction (a-Si:H/a-SiGe:H) thin film solar cells and focuses on optimization of a-SiGe:H midgap single-junction solar cell based on the optimization of the doping concentration of the p-layer, thicknesses of the p-layer and i-layer, and Ge content in the film.
Maximum efficiency of 23.5%, with short-circuit current density of 267 A/m2 and open-circuit voltage of 1.13 V for double-junction solar cell has been achieved.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Jelodarian, Peyman& Kosarian, Abdolnabi. 2012. Effect of p-Layer and i-Layer Properties on the Electrical Behaviour of Advanced a-Si : Ha-SiGe:H Thin Film Solar Cell from Numerical Modeling Prospect. International Journal of Photoenergy،Vol. 2012, no. 2012, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-510341
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Jelodarian, Peyman& Kosarian, Abdolnabi. Effect of p-Layer and i-Layer Properties on the Electrical Behaviour of Advanced a-Si : Ha-SiGe:H Thin Film Solar Cell from Numerical Modeling Prospect. International Journal of Photoenergy No. 2012 (2012), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-510341
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Jelodarian, Peyman& Kosarian, Abdolnabi. Effect of p-Layer and i-Layer Properties on the Electrical Behaviour of Advanced a-Si : Ha-SiGe:H Thin Film Solar Cell from Numerical Modeling Prospect. International Journal of Photoenergy. 2012. Vol. 2012, no. 2012, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-510341
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references
رقم السجل
BIM-510341
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر