![](/images/graphics-bg.png)
Optoelectronic properties of ZnOPSn-Si heterojunctions
المؤلف
المصدر
Engineering and Technology Journal
العدد
المجلد 26، العدد 04 (30 إبريل/نيسان 2008)، ص ص. 442-449، 8ص.
الناشر
تاريخ النشر
2008-04-30
دولة النشر
العراق
عدد الصفحات
8
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص AR
في هذا البحث تم تحضير عالق البلورة الدقيقة لجزيئه أوكسيد الخارصين ZnO بالطريقة الكيميائية، و بعد ذلك تم رشه على سيلكون مسامي محضر بطريقه وجود الإظهار الكهروكيميائي تحت كثافة 10 mA / cm 2 لزمن 10 min.
وجد أن نصف القطر الأولي لجزيئات ZnO هو 2.2 nm.
يظهر من طيف FTIR أصرة Zn-O و التي تشير لتكوين جزيئهZnO.
و أيضا أن الطيف يكشف تكوين أصرة (2-1 =SiHx(x و أصرة Si-O و التي تشير إلى وجود الطبقة المسامية.
تم الحصول على كفاءة تقويم عاليه مع أستجابية ضوئية عاليه تصل (0.54 A / W) عند (400 nm).
هذا يقابل كفاءة كمية (% 166.7).
تبين النتائج أن أوكسيد الخارصين على تراكيب السليكون المسامي سيعمل كبديل جيد لصنع دايودات ضوئية بكفاءة عالي.
الملخص EN
In this work a colloid of Nano crystalline Zn O particles is prepared by chemical method, and then sprayed on porous silicon substrate which is prepared by electrochemical etching under a current density of 15 mA / cm2 for 10 min.
The initial radius of the Zn O particles is found to be (2.2 nm).
FTIR spectra exhibit the presence of Zn–O bond which indicates the formation of Zn O particles.
Also spectra reveals the formation of SiH x (x = 1-2) and Si-O bond which indicates the presence of porous layer.
High performance rectifying was obtained, with high photoresponsivety of 0.54 A / W at 400 nm.
The corresponding quantum efficiency was 166.7 %.
The results show that Zn O on porous silicon (PS) structures will act as good candidates for making highly efficient photo diodes.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Khashan, Khawlah S.. 2008. Optoelectronic properties of ZnOPSn-Si heterojunctions. Engineering and Technology Journal،Vol. 26, no. 04, pp.442-449.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-51880
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Khashan, Khawlah S.. Optoelectronic properties of ZnOPSn-Si heterojunctions. Engineering and Technology Journal Vol. 26, no. 04 (2008), pp.442-449.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-51880
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Khashan, Khawlah S.. Optoelectronic properties of ZnOPSn-Si heterojunctions. Engineering and Technology Journal. 2008. Vol. 26, no. 04, pp.442-449.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-51880
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 446-5-446
رقم السجل
BIM-51880
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
![](/images/ebook-kashef.png)
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
![](/images/kashef-image.png)