Electrical characteristics of silicon p-n junction solar cells produced by plasma-assisted matrix etching technique

العناوين الأخرى

الخصائص الكهربائية للخلية الشمسية السيليكونية ذات الوصلة الثنائية و المصنعة باستخدام تقنية التنميش النقطي بالبلازما

المؤلفون المشاركون

Hamadi, Adi A.
Badr, Ban A. M.
Yusuf, Afnan K.

المصدر

Engineering and Technology Journal

العدد

المجلد 26، العدد 8 (31 أغسطس/آب 2008)، ص ص. 1-7، 7ص.

الناشر

الجامعة التكنولوجية

تاريخ النشر

2008-08-31

دولة النشر

العراق

عدد الصفحات

7

التخصصات الرئيسية

الهندسة الكهربائية

الموضوعات

الملخص AR

في هذا البحث ، أجريت عملية التنميش لقواعد سيليكونية باستخدام تقنية التنميش النقطي بالبلازما ومن ثم جرى ترسيب أغشية رقيقة من الإنديوم على سطح هذه القواعد لتصنيع خلية شمسية ثنائية الوصلة ودراسة الخصائص الكهربائية لها.

أظهرت نتائج القياسات الكهربائية تحسنًا ملحوظًا في خصائص الخلية مقارنة بالخلايا المصنعة بدون إجراء عملية التنميش النقطي أو باستخدام تقنية التبخير الحراري التقليدية.

بلغت أقصى كفاءة تحويل للخلية الشمسية المصنعة بهذه التقنية حوالي (% 2.15 ) عند قدرة .( 90 ) فيما بلغت قيمة عامل المليء (% 56.

الملخص EN

In this work, plasma-induced matrix etching technique was used to fabricate p-n junction solar cells and their electrical characteristics were studied.

Results showed reasonable improvement in solar cell characteristics when compared to the characteristics of the cells fabricated without etching process or by conventional thermal evaporation technique.

The maximum conversion efficiency of the fabricated cells was about (2.15 %) at irradiation power of (90W / cm2) and the fill factor was (56.90 %).

نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)

Hamadi, Adi A.& Badr, Ban A. M.& Yusuf, Afnan K.. 2008. Electrical characteristics of silicon p-n junction solar cells produced by plasma-assisted matrix etching technique. Engineering and Technology Journal،Vol. 26, no. 8, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-525742

نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)

Hamadi, Adi A.…[et al.]. Electrical characteristics of silicon p-n junction solar cells produced by plasma-assisted matrix etching technique. Engineering and Technology Journal Vol. 26, no. 8 (2008), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-525742

نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)

Hamadi, Adi A.& Badr, Ban A. M.& Yusuf, Afnan K.. Electrical characteristics of silicon p-n junction solar cells produced by plasma-assisted matrix etching technique. Engineering and Technology Journal. 2008. Vol. 26, no. 8, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-525742

نوع البيانات

مقالات

لغة النص

الإنجليزية

الملاحظات

Includes appendices.

رقم السجل

BIM-525742