Electrical characteristics of silicon p-n junction solar cells produced by plasma-assisted matrix etching technique
Other Title(s)
الخصائص الكهربائية للخلية الشمسية السيليكونية ذات الوصلة الثنائية و المصنعة باستخدام تقنية التنميش النقطي بالبلازما
Joint Authors
Hamadi, Adi A.
Badr, Ban A. M.
Yusuf, Afnan K.
Source
Engineering and Technology Journal
Issue
Vol. 26, Issue 8 (31 Aug. 2008), pp.1-7, 7 p.
Publisher
Publication Date
2008-08-31
Country of Publication
Iraq
No. of Pages
7
Main Subjects
Topics
Abstract AR
في هذا البحث ، أجريت عملية التنميش لقواعد سيليكونية باستخدام تقنية التنميش النقطي بالبلازما ومن ثم جرى ترسيب أغشية رقيقة من الإنديوم على سطح هذه القواعد لتصنيع خلية شمسية ثنائية الوصلة ودراسة الخصائص الكهربائية لها.
أظهرت نتائج القياسات الكهربائية تحسنًا ملحوظًا في خصائص الخلية مقارنة بالخلايا المصنعة بدون إجراء عملية التنميش النقطي أو باستخدام تقنية التبخير الحراري التقليدية.
بلغت أقصى كفاءة تحويل للخلية الشمسية المصنعة بهذه التقنية حوالي (% 2.15 ) عند قدرة .( 90 ) فيما بلغت قيمة عامل المليء (% 56.
Abstract EN
In this work, plasma-induced matrix etching technique was used to fabricate p-n junction solar cells and their electrical characteristics were studied.
Results showed reasonable improvement in solar cell characteristics when compared to the characteristics of the cells fabricated without etching process or by conventional thermal evaporation technique.
The maximum conversion efficiency of the fabricated cells was about (2.15 %) at irradiation power of (90W / cm2) and the fill factor was (56.90 %).
American Psychological Association (APA)
Hamadi, Adi A.& Badr, Ban A. M.& Yusuf, Afnan K.. 2008. Electrical characteristics of silicon p-n junction solar cells produced by plasma-assisted matrix etching technique. Engineering and Technology Journal،Vol. 26, no. 8, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-525742
Modern Language Association (MLA)
Hamadi, Adi A.…[et al.]. Electrical characteristics of silicon p-n junction solar cells produced by plasma-assisted matrix etching technique. Engineering and Technology Journal Vol. 26, no. 8 (2008), pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-525742
American Medical Association (AMA)
Hamadi, Adi A.& Badr, Ban A. M.& Yusuf, Afnan K.. Electrical characteristics of silicon p-n junction solar cells produced by plasma-assisted matrix etching technique. Engineering and Technology Journal. 2008. Vol. 26, no. 8, pp.1-7.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-525742
Data Type
Journal Articles
Language
English
Notes
Includes appendices.
Record ID
BIM-525742
