Study of a silicon power diode using a time dependent hydrodynamic model
المؤلفون المشاركون
Tabikh, S.
Latreche, Seloua
Morel, H.
Maille, C.
Gontrand, C.
المصدر
Sciences et Technologie : Sciences Exactes
العدد
المجلد 2003، العدد 20 (31 ديسمبر/كانون الأول 2003)، ص ص. 67-72، 6ص.
الناشر
تاريخ النشر
2003-12-31
دولة النشر
الجزائر
عدد الصفحات
6
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص EN
A one-dimensional device simulator based on the hydrodynamic model is developed for the simulation and analysis of high voltage ambipolar devices.
This simulator has the capability for both self-consistent transient and steady state regime study.
The discretization scheme used in the algorithm shows good numerical stability and accuracy.
A transient simulation study is carried out on a PIN diode.
Information about electrical potential, electron and holes concentration, carriers temperatures, average velocities, considering the transient response to a high voltage, shows this simulator quite a good tool to study power devices in futures trends.
While no significant differences appear between our results and drift diffusion model ones, for the quiescent state, it is not the case for the transient regime.
Moreover, our model does not handle some strong simplification hypothesis ; for instance it is pointed out that carrier explicit acceleration term can not be dodged so easily, as reported before, for an accurate transient study.
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Tabikh, S.& Latreche, Seloua& Morel, H.& Maille, C.& Gontrand, C.. 2003. Study of a silicon power diode using a time dependent hydrodynamic model. Sciences et Technologie : Sciences Exactes،Vol. 2003, no. 20, pp.67-72.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-540597
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Tabikh, S.…[et al.]. Study of a silicon power diode using a time dependent hydrodynamic model. Sciences et Technologie : Sciences Exactes No. 20 (Dec. 2003), pp.67-72.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-540597
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Tabikh, S.& Latreche, Seloua& Morel, H.& Maille, C.& Gontrand, C.. Study of a silicon power diode using a time dependent hydrodynamic model. Sciences et Technologie : Sciences Exactes. 2003. Vol. 2003, no. 20, pp.67-72.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-540597
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الإنجليزية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 72
رقم السجل
BIM-540597
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر