Application du modele "defect pool" pour la simulation de la photoconductivite transitoire dans le a-si : h intrinseque et dope par le phosphore
المؤلفون المشاركون
Miftah, A. M.
Miftah, A. F.
Merazga, A.
المصدر
Sciences et Technologie : Sciences Exactes
العدد
المجلد 2004، العدد 21 (30 يونيو/حزيران 2004)، ص ص. 55-59، 5ص.
الناشر
تاريخ النشر
2004-06-30
دولة النشر
الجزائر
عدد الصفحات
5
التخصصات الرئيسية
الموضوعات
الملخص EN
The energy profile of the density of states over the gap of the a-Si:H is determined jointly by the defect pool model and the Fourier transform of the transient photoconductivity (TPC).
The TPC obtained from numerical simulation is compared with experimental data for the intrinsic and P-doped a-Si:H.
The observed characteristics in the transient photoconductivity curves at various temperatures allow the calculation of the attempt to escape frequency at the mobility edge, the conduction band tail minimum in intrinsic a-Si:H and the donor band peak in doped a-Si:H.
الملخص FRE
Le profil d'énergie de la densité des états le long du gap du a-Si:H est déterminé conjointement par le modèle defect pool (MDP) et la queue de bande de conduction (QBC) calculée par la transformé de Fourier de la photoconductivité transitoire (PCT).
La PCT obtenue par la simulation numérique est comparée avec les données expérimentales pour le cas du a-Si:H intrinsèque et le a-Si:H dopé par le phosphore.
Les caractéristiques observées dans les courbes de la PCT à différentes températures permettent de calculer la fréquence d'émission au bord de la mobilité, le minimum de la queue de la QBC dans le a-Si:H intrinsèque et le pic de la bande des donneur dans le a-Si:H dopé
نمط استشهاد جمعية علماء النفس الأمريكية (APA)
Miftah, A. F.& Miftah, A. M.& Merazga, A.. 2004. Application du modele "defect pool" pour la simulation de la photoconductivite transitoire dans le a-si : h intrinseque et dope par le phosphore. Sciences et Technologie : Sciences Exactes،Vol. 2004, no. 21, pp.55-59.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-540933
نمط استشهاد الجمعية الأمريكية للغات الحديثة (MLA)
Miftah, A. F.…[et al.]. Application du modele "defect pool" pour la simulation de la photoconductivite transitoire dans le a-si : h intrinseque et dope par le phosphore. Sciences et Technologie : Sciences Exactes No. 21 (Jun. 2004), pp.55-59.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-540933
نمط استشهاد الجمعية الطبية الأمريكية (AMA)
Miftah, A. F.& Miftah, A. M.& Merazga, A.. Application du modele "defect pool" pour la simulation de la photoconductivite transitoire dans le a-si : h intrinseque et dope par le phosphore. Sciences et Technologie : Sciences Exactes. 2004. Vol. 2004, no. 21, pp.55-59.
https://search.emarefa.net/detail/BIM-540933
نوع البيانات
مقالات
لغة النص
الفرنسية
الملاحظات
Includes bibliographical references : p. 59
رقم السجل
BIM-540933
قاعدة معامل التأثير والاستشهادات المرجعية العربي "ارسيف Arcif"
أضخم قاعدة بيانات عربية للاستشهادات المرجعية للمجلات العلمية المحكمة الصادرة في العالم العربي
تقوم هذه الخدمة بالتحقق من التشابه أو الانتحال في الأبحاث والمقالات العلمية والأطروحات الجامعية والكتب والأبحاث باللغة العربية، وتحديد درجة التشابه أو أصالة الأعمال البحثية وحماية ملكيتها الفكرية. تعرف اكثر
